型号:

INA154U/2K5

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOIC-8
批次:24+
包装:-
重量:-
其他:
-
INA154U/2K5 产品实物图片
INA154U/2K5 一小时发货
描述:差分运放 INA154U/2K5
库存数量
库存:
67
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
10.9
2500+
10.64
产品参数
属性参数值
放大器数单路
共模抑制比(CMRR)90dB
输入失调电压(Vos)100uV
增益带宽积(GBP)3MHz
压摆率(SR)14V/us
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
噪声密度(eN)52nV/√Hz@1kHz
输入失调电压温漂(Vos TC)20uV/℃
静态电流(Iq)2.4mA
工作温度-40℃~+85℃
双电源(Vee ~ Vcc)-18V~-4V;4V~18V
稳定时间3us

INA154U/2K5 产品概述

一、产品概述

INA154U/2K5 是 TI(德州仪器)推出的一款单路差分运放,封装为 SOIC-8,面向对零漂、低噪声和中等带宽有要求的精密模拟信号处理场景。器件在宽电源电压下工作稳定,适合传感器信号调理、差分到单端转换及 ADC 前端驱动等应用。

二、主要参数与含义

  • 共模抑制比(CMRR):90 dB——对共模干扰有较强抑制能力,利于差分信号的精确放大。
  • 输入失调电压(Vos):100 µV;失调温漂(Vos TC):20 µV/℃——低失调和低漂移有利于直流精度和长期稳定性。
  • 增益带宽积(GBP):3 MHz;压摆率(SR):14 V/µs——带宽与瞬态响应适合多数精密测量及中速信号处理。
  • 噪声密度(eN):52 nV/√Hz @1 kHz——中低噪声水平,保证小信号时的信噪比。
  • 静态电流(Iq):2.4 mA——功耗较低,适用于功耗敏感的系统。
  • 最大电源宽度:36 V;双电源范围:VEE ~ VCC 可在 -18 V ~ -4 V 与 4 V ~ 18 V 范围内配置——支持较宽的供电选择,便于与系统电源兼容。
  • 工作温度:-40 ℃ ~ +85 ℃;稳定时间:约 3 µs——工业温度等级与较快的稳定性能。

三、性能亮点

  1. 低失调与低漂移:100 µV 的输入偏置与 20 µV/℃ 的漂移,使得器件在零点漂移敏感的测量(如桥式传感器)中表现优异。
  2. 良好抗干扰能力:90 dB 的 CMRR 有利于抑制共模噪声与电源干扰,提升差分放大精度。
  3. 平衡的带宽与瞬态响应:3 MHz 的 GBP 和 14 V/µs 的压摆率在保证精度的同时,支持快速边沿与中频信号的放大。
  4. 低噪声与低功耗:52 nV/√Hz 的噪声密度配合 2.4 mA 的静态电流,兼顾信号完整性与系统能耗。

四、典型应用场景

  • 精密传感器信号调理(应变片、压力传感器、差分温度传感等);
  • ADC 前端差分放大与驱动;
  • 差分到单端转换、仪表放大器前级;
  • 工业控制与数据采集系统中需要低漂移与中等带宽的场合。

五、设计与使用建议

  • 电源去耦:为保证低噪声与稳定性,建议在靠近器件的电源引脚放置 0.1 µF 的陶瓷去耦电容,并配合 1 µF 以上的旁路电容。
  • 输入保护与滤波:对大幅度共模或瞬态输入,建议加入限流电阻和差分滤波器以保护输入并抑制带外噪声。
  • 温度漂移管理:若需极限直流精度,应在硬件或软件上做温度补偿,利用器件较低的 Vos TC 降低漂移影响。
  • 布局注意事项:差分输入线尽量成对布局并靠近器件,避免长回路引入串扰。

六、封装与可靠性

INA154U/2K5 提供 SOIC-8 封装,便于自动焊接与批量制造。-40 ℃ 至 +85 ℃ 的工作温度覆盖常见工业环境;器件的快速稳定时间(约 3 µs)有利于系统上电或模式切换时快速进入稳定工作状态。

总结:INA154U/2K5 将低失调、低噪声与较宽电源适应性结合,适合需要高精度差分放大的中速信号处理场合,是传感器接口与 ADC 前端的可靠选择。