ESD63011N-2/TR 产品概述

一、产品简介

ESD63011N-2/TR 是 WILLSEMI（韦尔）推出的一款单路双向低容抗静电二极管，专为高速信号线和接口保护设计。器件在小型 DFN1006-2L 封装中集成，具有低结电容、低漏电及对 IEC 等级的抗静电与浪涌能力，适合现代移动、通信与消费类电子产品对接口防护的小体积、高性能需求。

二、主要参数

• 钳位电压（Vc）：10.5 V（典型）
• 击穿电压（Vbr）：9 V（典型）
• 反向截止电压（Vrwm）：5 V
• 峰值脉冲电流（Ipp）：6 A（8/20 μs 波形）
• 反向电流（Ir）：500 nA（通常条件）
• 结电容（Cj）：0.6 pF（典型）
• 通道数：单路；极性：双向
• 防护等级：满足 IEC 61000-4-5（浪涌）和 IEC 61000-4-2（静电放电）标准

三、典型特性与优势

• 低结电容（0.6 pF）对高速信号影响小，适合 USB、HDMI、SATA 等高速数据线保护。
• 双向结构可直接保护差分对或双向信号，无需方向判断或额外电路。
• 峰值6 A（8/20 μs）浪涌能力，配合合理 PCB 布局能有效吸收短时高能脉冲。
• 低漏电（500 nA）适用于低功耗与电池供电系统，减少静态功耗。

四、应用场景与封装

• USB/USB-C、移动设备 I/O、数据总线、串行接口、音视频接口等高速或敏感信号线防护。
• 小型 DFN1006-2L 封装便于在紧凑 PCB 布局中靠近连接器布置，节省空间并降低寄生电感。

五、布局与使用建议

• 器件应尽量靠近被保护的接口或器件布置，信号线到器件的走线尽量短且宽，减少寄生阻抗。
• 为提高浪涌吸收效果，确保器件接地良好，必要时在地平面开口处优化焊盘和过孔布局。
• 在高频或差分信号应用中，注意匹配阻抗与最小化走线长度，利用其低 Cj 优势以减小信号失真。

ESD63011N-2/TR 提供在体积受限场合下对高速信号的高效静电与浪涌防护，是对接口可靠性要求较高设计的理想选择。