型号:

EL817S1(C)(TU)-G

品牌:EVERLIGHT(台湾亿光)
封装:SMD-4P
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
EL817S1(C)(TU)-G 产品实物图片
EL817S1(C)(TU)-G 一小时发货
描述:晶体管输出光耦 DC 光电三极管 50mA 1.2V
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.207
1000+
0.186
产品参数
属性参数值
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.4V
输出电流50mA
隔离电压(Vrms)5kV
直流反向耐压(Vr)6V
负载电压35V
集射极饱和电压(VCE(sat))100mV@20mA,1mA
上升时间(tr)18us
下降时间18us
工作温度-55℃~+110℃
电流传输比(CTR)最小值50%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值600%
总功耗(Pd)200mW
正向电流(If)60mA

EL817S1(C)(TU)-G 产品概述

一、产品简介

EL817S1(C)(TU)-G 是台湾亿光(EVERLIGHT)出品的一款晶体管输出光耦,输入端为直流 LED,输出端为光电三极管。器件为 SMD-4P 封装,适用于需要电气隔离与信号传输的低速控制场合。产品强调高隔离耐压、宽 CTR 范围以及较低的饱和压降,适合开关量和低速模拟信号隔离。

二、主要参数

  • 输入类型:DC LED;正向压降 Vf ≈ 1.4V(典型约 1.2–1.4V)
  • 最大正向电流 If(max):60mA(绝对最大)
  • 输出类型:光电三极管(NPN)
  • 最大集电电流 Ic(max):50mA
  • 集-射极饱和电压 VCE(sat):约 100mV(测试条件示例:If=20mA、Ic=1mA)
  • 电流传输比 CTR:最小 50%,最高可达 600%(与 If、测试条件相关)
  • 隔离电压 Vrms:5kV
  • 直流反向耐压 Vr(LED):6V
  • 负载电压(输出端)最大:35V
  • 上/下降时间 tr/tf:约 18 µs / 18 µs(典型)
  • 总功耗 Pd:200mW
  • 工作温度:-55°C ~ +110°C
  • 封装:SMD-4P(TU 卷带式)

三、特性与优势

  • 高隔离强度:5kVrms 绝缘等级,适合隔离要求严格的系统。
  • 宽 CTR 范围:50%~600%,可覆盖低输入驱动到高灵敏度应用,但 CTR 随温度与 If 变化显著。
  • 低 VCE(sat):在典型驱动条件下饱和压降低,有利于降低开关损耗与发热。
  • SMD 封装便于自动化贴装,适合批量生产与紧凑 PCB 设计。

四、典型应用

  • 微控制器与高压电路之间的信号隔离(开关量输入/输出)
  • 电源管理、继电器驱动和家电控制板的低速隔离
  • 工控接口、通信线路保护与传感器信号隔离

五、使用建议与电路指导

  • LED 限流电阻计算:R = (Vcc - Vf) / If。示例:5V 系统,若目标 If=1mA,R ≈ (5-1.4)/1mA = 3.6kΩ;若 If=20mA,R ≈ 180Ω。
  • 输出侧需外接上拉电阻到所需逻辑电平,且注意不要超过输出端 35V 与器件功耗限制(Pd=200mW)。
  • CTR 随 If 和温度变化明显,低 If 情况下 CTR 可能偏低,设计时应留有裕量。
  • 避免长时间在 If 接近 60mA 的条件下工作,应按照绝对最大额定值进行短时脉冲驱动并作适当退让。
  • 对于关键可靠性场合,建议在实际应用中做温度与长期老化测试以确定稳定性。

六、封装与可靠性注意事项

  • SMD-4P 适合贴片工艺,推荐在回流焊工艺中遵循厂商建议的温度曲线(具体曲线请参考厂方数据手册)。
  • 布局时确保输入与输出走线保持足够爬电距离,配合隔离槽或相应的 PCB 设计规范以提升系统耐压性能。
  • 在高湿或高压差环境下使用时,注意进行绝缘加强与封装保护。

七、结论

EL817S1(C)(TU)-G 提供了高隔离耐压、低饱和压降和广泛的 CTR 范围,适用于各类需要电气隔离的低速控制与信号传输场景。设计时应重点关注 CTR 的工况依赖、功耗限制与封装的热/工艺要求,以确保长期稳定可靠。更多详细参数与应用参考请参阅厂商完整数据手册。