EVERLIGHT 红外接收管 PT908-7C (BIN3) 产品概述
一 产品简介
PT908-7C(BIN3) 是台湾亿光(EVERLIGHT)出品的一款 NPN 型红外接收晶体管,采用插件封装(引脚到封装顶端长度 L = 4.5mm)。器件对 860nm 附近的红外光响应良好,暗电流低,适用于一般家电遥控接收、红外断电检测、光电开关及近距离光通信等领域。BIN3 为出厂灵敏度分档,便于批量设计时的稳定性管理。
二 主要参数
- 晶体管类型:NPN
- 峰值波长:860 nm
- 集射极击穿电压 Vceo:30 V
- 最大集电极电流 Ic:20 mA
- 最大耗散功率 Pd:75 mW
- 暗电流:100 nA
- 工作温度范围:-25 ℃ ~ +85 ℃
- 品牌/产地:EVERLIGHT(台湾亿光)
- 封装形式:插件(L = 4.5 mm)
三 关键特性
- 对 860 nm 红外光响应峰值,适配常见红外发射二极管(LED)波段;
- 暗电流仅 100 nA,利于低光照下的高灵敏度检测与低噪声输出;
- 额定集电极电流 20 mA、耗散功率 75 mW,适合低功耗便携及嵌入式应用;
- BIN3 灵敏度分档,便于在对灵敏度一致性要求高的产品中选用。
四 典型应用
- 遥控信号接收(家电、玩具、消费电子);
- 红外光电开关、断电传感、物体过闸检测;
- 光电编码器、接近检测与短距离光通信链路;
- 教学与开发板上的光传感模块。
五 使用与电路建议
- 常见接法:共发射极(共地)或共集电路。通常将发射极接地,集电极通过拉电阻接至 Vcc,从而将光强转为电压输出。
- 输出电压近似关系(共发射配置):Vout = Vcc - Ic × Rc。选择 Rc 时需考虑最大 Ic(20 mA)和所需的电压摆幅。例如在 Vcc = 5 V、假设 VCE(sat) ≈ 0.2 V 的情况下,为避免过流可选 Rc ≥ (5 V - 0.2 V) / 20 mA ≈ 240 Ω。
- 功率与热管理:器件最大耗散功率为 75 mW,在高光照或连续高电流条件下,需通过减小集电电流或降低工作占空比来控制耗散,避免热量堆积。
- 对抗光干扰:若环境光干扰较强,建议配合窄带限光滤光片或增加模/数混合处理(如高通滤波、调制/解调技术)以提高信噪比。
- BIN 说明:BIN3 为灵敏度分档标识,实际响应可能随出厂批次略有差异,设计时应预留裕量或进行批次一致性校准。
六 安装与注意事项
- 封装为插件式,焊接时注意避免对塑料封装加热过久或直接接触高温流锡,防止封装变形或内部应力产生。
- 建议在安装前确认管脚极性与电路连线,避免反接造成器件损坏。
- 使用环境:请避免在超过额定温度范围(-25 ℃ ~ +85 ℃)或高湿、高腐蚀性气氛中长期工作,以延长器件寿命。
- 静电防护:器件为半导体器件,建议在搬运与装配过程中采取一般静电防护措施。
七 选型与替代
- 若需要更高灵敏度或更低暗电流,可与厂商沟通选择其他 BIN 或型号;若工作电流或耐压要求更高,应考虑功率与耐压更大的光电晶体管或外加前置放大器/运放。
- 在批量采购时可注明 BIN3 以保证灵敏度一致性,或要求多个 BIN 混合供货并在装配前做一次性筛选。
八 常见问题
- 问:能否直接驱动大功率 LED 或继电器?
答:此器件仅为光电晶体管输出,最大集电极电流 20 mA,不能直接驱动大功率负载;若需驱动更高电流,应加驱动级(如三极管或 MOSFET)或使用继电器驱动电路。 - 问:如何提高抗环境光干扰能力?
答:推荐采用发射端调制(如 38 kHz)、接收端同步解调或带通滤波的方法;也可以在光路上使用窄带光学滤光片。
如需更详细的电气特性曲线、典型响应曲线或封装图纸(引脚尺寸、外形图),建议向 EVERLIGHT 索取原厂数据手册以获得完整规范与推荐焊接工艺参数。