APA3010P3BT-GX 产品概述

一、概述

APA3010P3BT-GX 是 Kingbright 推出的一款侧视型（side‑view）硅光电晶体管（NPN，SMD 封装）。器件对近红外波段敏感，峰值响应在 940 nm，视角大约 160°，适合需要侧向光接收或宽视场检测的紧凑型表面贴装方案。器件结构简单，易于与标准驱动和判别电路配合使用，用于反射式或对射式光电检测场合。

二、主要参数

• 晶体管类型：NPN 光电晶体管（Phototransistor）
• 集射极击穿电压 Vceo：30 V
• 最大耗散功率 Pd：100 mW
• 暗电流：100 nA（典型/最大量级）
• 峰值波长：940 nm
• 视角（±θ）：约 160°（宽视场）
• 工作温度：-40 ℃ ～ +85 ℃
• 集射极饱和电压 VCE(sat)：0.8 V @ IC = 2 mA
• 封装：SMD（侧视型）

三、特性与优势

• 宽视角（≈160°）：在短距离检测或需大接收面角度的应用中可减少对准难度。
• 940 nm 响应：与常用 IR 发光二极管配合良好，适合成对使用。
• 低暗电流：提高在低光照条件下的信噪比与检测灵敏度。
• SMD 侧视封装：便于在 PCB 上实现紧凑布局和自动化贴装，适合空间受限的工业与消费类设备。

四、典型电路与选型建议

常见接法为共发射（common‑emitter）配置：光电晶体管集电极通过上拉电阻 Rpull‑up 连接至 VCC，发射极接地，输出在集电极处取样。选取上拉电阻时可根据目标峰值集电流 IC 估算：

• 例：若 VCC = 5 V，目标 IC ≈ 2 mA，考虑 VCE(sat)=0.8 V，则 R ≈ (5 − 0.8) / 2 mA ≈ 2.1 kΩ（可取 2.2 kΩ）。 选择 R 时还应兼顾暗电流（100 nA）带来的漏电压、系统逻辑阈值与响应速度（更小 R 提高速度但增加功耗）。

在设计中注意功耗限制：器件 Pd = 100 mW，工作时需保证 VCE × IC 不超过耗散能力并留有余量。工作电压不得超过 Vceo = 30 V。

五、封装与可靠性注意事项

• 采用标准 SMT 回流焊工艺时，遵循 Kingbright 官方数据手册的温度曲线与推荐焊接参数；避免超温或长时间高温循环。
• 光学窗口/面向方向应避免遮挡及污染；清洗时注意选用对光学材料友好的溶剂，避免残留影响光学性能。
• 防静电防护（ESD）必不可少，安装与测试环节建议佩戴接地防护设施。
• 工作环境温度须在 −40 ℃ 至 +85 ℃ 范围内，长期工作请评估热管理与周围器件发热影响。

六、典型应用场景

• 反射式物体/位移检测、距离门控与边缘检测
• 小尺寸对射/槽式传感器（侧视结构适合槽内或侧向检测）
• 编码器、计数器位置感知
• 简单光隔离、物体存在/缺失判定

结语：APA3010P3BT-GX 以其宽视角、940 nm 响应与 SMD 侧视封装在需要紧凑光学布局的检测系统中具有优势。设计与生产前建议参考 Kingbright 官方数据手册以获取完整电气特性曲线、封装尺寸与回流焊工艺规范。