YJD60N04A 产品概述

一、产品简介

YJD60N04A 是扬杰（YANGJIE）推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，单片封装为 TO-252（DPAK），适用于中低压大电流开关应用。器件具有 40V 漏源耐压、60A 连续漏极电流以及较低导通电阻，兼顾导通损耗与开关性能，适合开关电源、同步整流、功率管理和电机驱动等领域。

二、主要性能特点

• 漏源电压 Vdss：40V，适用于 12V/24V 系统主开关与整流场景。
• 连续漏极电流 Id：60A，满足较大输出电流要求（热设计需注意散热）。
• 导通电阻 RDS(on)：5.4mΩ（Vgs=10V，Id=20A），低阻值降低导通损耗。
• 阈值电压 Vgs(th)：2.5V，门极驱动门槛明确。
• 总栅极电荷 Qg：29nC（Vgs=10V），对栅极驱动能力和开关损耗有直接影响。
• 输入/反向传输电容：Ciss=1.45nF、Crss=153pF（均以20V测），影响开关速度与死区设计。
• 功率耗散 Pd：54W（典型热条件下），高温工作上限可达 +175℃，工作温度范围 -55℃ 至 +175℃。

三、电气参数摘要

• 类型：N 沟道 MOSFET
• Vdss：40V
• Id（连续）：60A
• RDS(on)：5.4mΩ @ Vgs=10V, Id=20A
• Qg：29nC @ 10V
• Ciss / Crss：1.45nF / 153pF @20V
• Pd：54W
• Vgs(th)：2.5V
• 封装：TO-252（DPAK）

四、封装与热管理

TO-252 封装便于表面贴装（SMT）工艺，适合自动化生产。器件 Pd 和大电流特性对散热要求较高，推荐在 PCB 采用大面积铜箔散热、过孔通热或配合散热片与导热介质使用。合理的温度管理可避免因 RDS(on) 随温度上升而引起的额外损耗。

五、典型应用

• DC-DC 降压转换器主开关或同步整流
• 汽车电子（24V 系统）电源管理
• 逆变器、驱动模块与电机控制
• 电池保护与功率分配开关

六、使用与注意事项

• 栅极驱动：为降低开关损耗与避免振铃，需考虑驱动器能提供足够电流以快速充放 Qg，同时使用合适的门极电阻和平缓的驱动边沿。
• 布局：尽量缩短高电流回路路径，增大散热铜箔，关键走线加宽并使用多通孔热过渡。
• 热保护：在高负载或连续 60A 工作时，需验证结温与壳体温度，必要时选用额外散热措施或限流策略。
• 静电防护：注意 MOSFET 栅极对静电敏感，焊接与装配时做好 ESD 保护。

YJD60N04A 以其低导通阻抗、高电流能力与适中的开关特性，为多种中低压功率电子系统提供了性价比较高的解决方案。