型号:

C3216X7R1H475KT000E

品牌:TDK
封装:1206
批次:25+
包装:-
重量:-
其他:
-
C3216X7R1H475KT000E 产品实物图片
C3216X7R1H475KT000E 一小时发货
描述:贴片电容(MLCC) 50V ±10% 4.7uF X7R
库存数量
库存:
3373
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.548
2000+
0.496
产品参数
属性参数值
容值4.7uF
精度±10%
额定电压50V
温度系数X7R

C3216X7R1H475KT000E 产品概述

一、规格概述

C3216X7R1H475KT000E 为 TDK 出品的多层贴片陶瓷电容(MLCC),规格为 4.7 µF ±10%,额定电压 50 V,介质型式 X7R,封装 1206(公制 3216,约 3.2 × 1.6 mm)。X7R 介质工作温度范围通常为 -55°C 至 +125°C,适合一般功率和去耦场合对容量密度与体积的折衷需求。

二、主要特性

  • 高容量密度:在 1206 尺寸下实现 4.7 µF,便于在有限 PCB 面积上提供较大旁路/储能能力。
  • X7R 温度特性:在规定温度范围内保持介电常数相对稳定(非线性介质,温度漂移在典型 X7R 范围内)。
  • 额定电压 50 V:适用于中高电压电源轨与功率管理应用。
  • 低 ESR/低 ESL:陶瓷结构使其在高频旁路和瞬态响应方面优于有极性电容器。
  • 工业级可靠性:适合消费电子、电源模块、工业控制等常见应用(如需车规级或 AEC-Q200 认证,请参照制造商数据手册确认)。

三、典型应用

  • DC-DC 转换器输入/输出滤波与旁路
  • 电源轨局部去耦(如 5V、12V、24V 等中低压系统)
  • LED 驱动、模拟前端电源滤波
  • 替代体积更大但响应慢的电解电容作为旁路/储能元件(注意电压偏置后的实际容量变化)

四、设计与装配注意事项

  • 电压偏置效应:X7R 型 MLCC 在直流偏置下容量会明显下降,实际工作电压下的有效容量需参照 TDK 提供的“电压-容量”曲线评估,设计时建议留出裕量。
  • 温度影响:尽管 X7R 温度系数较好,但在极端温度及长期老化下容量会变化,关键电路应避免将其用于精密定时或频率决定元件。
  • 焊接工艺:推荐按无铅回流规范(如 J-STD-020)处理,最高回流峰值温度及时间以厂商推荐为准,一般峰值约 260°C;避免重复多次高温循环以减少损伤。
  • 机械应力:大封装 MLCC 对焊盘设计和 PCB 弯曲敏感,建议优化焊盘过渡与丝印位置,避免在焊接或使用过程中产生应力集中导致裂纹。若环境存在潮湿,按厂商建议进行干燥/预处理。

五、工程师选型建议

  • 若应用对容量随电压的线性度和长期稳定性要求高,应优先考虑 C0G/NP0 或薄膜电容;若追求体积与容量平衡、对稳压去耦需求为主,C3216X7R1H475KT000E 是合适选择。
  • 在高电压工作点上,请务必查看并依据厂商的 DC-bias 和温度曲线确认有效容量。
  • 批量应用前建议做实际样品的温升、寿命与震动可靠性验证,以确认在目标应用环境下的表现。

如需更详细的电气特性曲线、封装尺寸图或回流曲线,请提供需求,我可帮您检索并整理对应的制造商资料。