型号:

NRVBAF260T3G

品牌:ON(安森美)
封装:SMA-FL
批次:24+
包装:-
重量:1g
其他:
-
NRVBAF260T3G 产品实物图片
NRVBAF260T3G 一小时发货
描述:肖特基二极管 630mV@2A 60V 200uA@60V 2A
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最小包:5000
商品单价
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5000+
0.397
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)630mV@2A
直流反向耐压(Vr)60V
整流电流2A
反向电流(Ir)200uA@60V
工作结温范围-55℃~+150℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)60A

NRVBAF260T3G 产品概述

一、产品概览

NRVBAF260T3G 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款肖特基势垒整流二极管,针对中等功率开关电源与保护电路优化设计。典型正向压降为 630 mV(在 2 A 条件下),直流反向耐压 60 V,额定整流电流 2 A,具备低功耗和快速响应的特点,适合空间受限但对效率有要求的应用场景。封装采用 SMA-FL,小型化且便于 PCB 布局与散热处理。

二、主要电气参数

  • 型号:NRVBAF260T3G(ON/安森美)
  • 正向压降(Vf):630 mV @ If = 2 A
  • 直流反向耐压(Vr):60 V
  • 额定整流电流:2 A(Ta、自然对流条件下)
  • 反向漏电流(Ir):200 μA @ Vr = 60 V
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):60 A(单次脉冲)
  • 工作结温范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
    这些参数表明该器件在中等电流、低压降与抗冲击能力方面有良好平衡,但在高温高压下反向漏电流会显著上升,需在设计中考虑热管理与工作点。

三、封装与热性能

SMA-FL 封装体积小、厚度低,适合表面贴装工艺(SMT)和回流焊。尽管封装体积有限,但通过合理的 PCB 热铜箔铺设与过孔(thermal vias)可有效提高导热性能,降低结温。建议在 PCB 设计中为二极管预留大面积铜箔做散热,同时靠近温敏元件布置时注意热耦合对器件漏电流的影响。

四、典型应用场景

  • 开关电源(SMPS)输出整流与同步整流替代件
  • DC-DC 转换器自由回路整流(flyback、buck、boost)
  • 反向极性保护、电源反接防护
  • 电池供电系统的续流与肖特基隔离
  • 电机驱动、LED 驱动电路中作为快速整流器
    NRVBAF260T3G 在这些场合能降低导通损耗、提高转换效率,尤其适合 12 V/24 V 系统的中等功率处理。

五、选型与使用建议

  • 导通损耗与散热:在接近 2 A 连续工作时,应保证良好 PCB 散热和适当的环境温度;必要时考虑并联或选用更大封装。
  • 漏电流与温度:反向漏电流 200 μA 在 60 V 下为典型值,但随结温上升会增加;在高温应用或需严格低泄漏时,需评估温度影响或选用低 Ir 型号。
  • 浪涌能力:Ifsm = 60 A 可承受短时启动或冲击浪涌,但并非反复高能脉冲环境的长期方案;如有频繁浪涌需进行额外保护设计(限流器、浪涌吸收器)。
  • 旁路与滤波:配合适当的输入/输出电容与抑制元件(如 TVS),可提升系统稳定性并抑制高频干扰。
  • PCB 布局:尽量缩短二极管的电流环路,使用多层大铜箔和过孔分散热量,减少寄生电感。

六、可靠性与注意事项

该肖特基二极管适合一般工业环境,工作结温范围宽(-55 ℃ 至 +150 ℃)。在长期高温和高电压应力下,漏电流与 Vf 可能随时间变化,建议在可靠性验证中包含热循环、稳态高温和浪涌试验。标准焊接工艺下可进行回流焊,遵循厂商推荐的温度曲线以避免封装损伤。

总结:NRVBAF260T3G 在中等功率、要求低正向压降与快速整流的电源与保护电路中表现平衡优良。正确的布局与热设计能够发挥其效率优势,但在高温高压或频繁冲击场景需根据漏电流与浪涌要求作出相应选型与保护措施。