型号:

RS1G32XF5

品牌:RUNIC(润石)
封装:SOT23-5
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
RS1G32XF5 产品实物图片
RS1G32XF5 一小时发货
描述:逻辑门与反相器 RS1G32XF5
库存数量
库存:
9259
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.208
3000+
0.184
产品参数
属性参数值
逻辑类型或门
通道数1
工作电压1.65V~5.5V
静态电流(Iq)1uA
灌电流(IOL)24mA
拉电流(IOH)24mA
输入高电平(VIH)1.7V;2.2V
输入低电平(VIL)400mV;300mV
输出高电平(VOH)2.4V;2.3V
输出低电平(VOL)550mV
传播延迟(tpd)2.7ns@5V,50pF
工作温度-40℃~+125℃
输入通道数2

RS1G32XF5 产品概述

一、产品简介

RS1G32XF5 是润石(RUNIC)推出的一款低功耗、高驱动能力的小型逻辑器件,封装为 SOT23-5。器件核心为单路两输入逻辑门(或门)/反相器组合,适用于尺寸受限且要求低静态功耗与较强输出驱动的数字电路。工作电压范围宽,可覆盖从低电压便携式系统到传统 5V 工业电源。

二、主要特性

  • 逻辑类型:或门(与反相器功能相结合的逻辑器件)
  • 通道数:1(输入通道数:2)
  • 工作电压范围:1.65 V 至 5.5 V
  • 超低静态电流(Iq):典型 1 μA,适合电池供电系统
  • 输出驱动能力:推拉电流 IOH / IOL 均达 24 mA,可直接驱动多数小负载
  • 快速开关:传播延迟 tpd = 2.7 ns(在 5 V,负载 50 pF 下)
  • 工作温度:-40 ℃ 至 +125 ℃,满足工业级温度要求

三、电气参数(关键规格)

  • 输入高电平阈值(VIH):1.7 V;2.2 V(不同工作点或条件下的典型阈值)
  • 输入低电平阈值(VIL):400 mV;300 mV(不同条件下的典型阈值)
  • 输出高电平(VOH):2.4 V;2.3 V(对应不同负载或条件的典型值)
  • 输出低电平(VOL):550 mV(典型值,视负载而变化)
  • 传播延迟(tpd):2.7 ns @ 5 V,CL = 50 pF
  • 静态电流(Iq):1 μA(典型)
  • 输出电流能力:IOL = 24 mA,IOH = 24 mA

注:以上数值为典型/标称参考,实际值请参照最新器件数据手册中的条件说明与测试条件。

四、封装与热性能

  • 封装:SOT23-5,小型表贴,适合高密度 PCB 布局与便携设备
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃,适用于工业与消费类环境
  • 针对散热与可靠性建议:在高输出电流或高环境温度下,注意布局散热、铺铜并做好去耦电容。

五、典型应用

  • 便携式与电池供电设备中的信号组合与门控
  • 低压微控制器接口与逻辑前端(支持 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V / 5 V 系统)
  • 工业控制与通信模块的逻辑合成与缓冲
  • 需要低静态功耗且需一定驱动能力的数字线路(例如键盘矩阵、指示灯驱动的逻辑段)

六、设计注意事项与选型建议

  • 电压兼容性:器件支持 1.65 V 起始工作,但输入阈值随工作电压和温度变化,请在系统电平设计时校核 VIH/VIL 与 MCU/外设的输出电平兼容性。
  • 负载与驱动:输出可提供 24 mA 的推拉能力,但长期大电流开关会增加功耗与发热,建议在高负载场合加以评估并保持合理的 PCB 散热。
  • 去耦与稳定性:为保证高速切换和稳定工作,靠近器件 VCC 引脚布置 0.1 μF 陶瓷去耦电容,必要时增加更大容量的旁路电容。
  • ESD 与保护:在易受静电或浪涌影响的接口处增加适当的保护元件(TVS、串联电阻或 RC 滤波)。

七、结论与订购信息

RS1G32XF5 提供了在极小封装下兼顾低功耗与高输出驱动的解决方案,适合多种低电压与工业温度场景。品牌:RUNIC(润石);封装:SOT23-5;订购与技术细节请参考润石官方数据手册或联系供应渠道以获取完整参数表和过温/过载条件下的规格说明。