型号:

LM2903YQ3T

品牌:ST(意法半导体)
封装:DFN-8(2x2)
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
LM2903YQ3T 产品实物图片
LM2903YQ3T 一小时发货
描述:比较器 开集 7mV 1V~18V;2V~36V 250nA
库存数量
库存:
3852
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.992
3000+
0.94
产品参数
属性参数值
比较器数双路
输入失调电压(Vos)1mV
输入偏置电流(Ib)25nA
输出模式TTL;MOS;DTL;CMOS;ECL
轨到轨轨到轨输入
静态电流(Iq)400uA
工作温度-40℃~+125℃
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
单电源2V~36V
双电源(Vee ~ Vcc)1V~18V;-18V~-1V
输入失调电流(Ios)5nA
响应时间(tr)1.3us

LM2903YQ3T 产品概述

一、简介

LM2903YQ3T 是意法半导体(ST)推出的一款双路比较器,具备轨到轨输入能力和宽电源电压范围,适用于低功耗、工业级和汽车级等多种场合。器件采用 DFN-8(2×2 mm)小尺寸封装,集成两路比较通道,输出为开集电极结构,便于与多种逻辑电平接口对接。

二、主要规格

  • 电源电压:单电源 2 V ~ 36 V;双电源 ±1 V ~ ±18 V(最大电源差 VDD–VSS = 36 V)
  • 输入:轨到轨输入(输入共模覆盖至电源轨)
  • 输入失调电压(Vos):典型 1 mV
  • 输入偏置电流(Ib):25 nA;输入失调电流(Ios):5 nA
  • 静态电流(Iq):约 400 μA(整芯片静态功耗,典型)
  • 响应时间(tr):约 1.3 μs(典型)
  • 输出模式:开集电极,兼容 TTL、MOS、DTL、CMOS、ECL 等多种逻辑接口(通过外部上拉电阻实现对应电平)
  • 比较器数量:双路
  • 封装:DFN-8(2×2 mm)

三、封装与引脚

DFN-8(2×2)封装体积小、热阻低,适合空间受限应用与自动化贴片生产。开集电极输出引脚便于用户根据系统电平选择合适的上拉电阻或直接拉到外部供电,从而实现与不同逻辑电平的兼容。

四、关键特性及设计优势

  • 宽电源范围和轨到轨输入:支持从低电压供电到高压系统,输入共模电压可达到电源轨,简化前端电路设计。
  • 低失调与低偏置电流:Vos ≈1 mV 和 Ib ≈25 nA 有利于提高比较精度并降低因偏置电流引起的误差,适合高精度、电流敏感的检测电路。
  • 低静态功耗:典型静态电流 400 μA,适合对功耗有一定要求的便携或长寿命系统。
  • 快速响应:1.3 μs 的响应时间适用于一般信号监测、过压/欠压检测和开关量比较等应用。
  • 开集电极输出:灵活的输出接口设计,便于与不同电平的数字电路或继电器驱动等外设直接配合。

五、典型应用场景

  • 电池管理与电源监控:欠压/过压检测、电池电量阈值判定。
  • 工业控制与传感器接口:信号比较、零点检测、限位开关判别等。
  • 汽车电子与车载传感:在宽温度范围(-40 ℃ ~ +125 ℃)下可靠工作,适合车用监控电路。
  • 通信与仪表:电平检测、脉冲整形与窗口比较等功能模块。

六、使用建议与注意事项

  • 由于输出为开集电极,必须外接合适的上拉电阻,上拉电压不得超过器件允许的电源电压范围。
  • 在高速或噪声环境中使用时,应按规范做好去耦和输入滤波,避免抖动或误触发。
  • 注意热设计与焊接工艺,DFN 封装需合理考虑 PCB 散热通孔与焊盘设计,保证长期可靠性。
  • 在高精度应用中,请评估实际温漂与偏置造成的误差,并在必要时采用外部校准或配套电路补偿。

LM2903YQ3T 以其宽电源范围、轨到轨输入与低失调优势,为多类中低速比较应用提供了灵活且可靠的硬件基础,尤其适合体积受限且需与多种逻辑电平互联的设计场景。