RSR025P03HZGTL 产品概述

一、概述

RSR025P03HZGTL 是 ROHM（罗姆）出品的一款小封装 P 沟道功率 MOSFET，适用于低压、高侧开关与电源管理场合。器件额定漏源电压为 30V，连续漏极电流达 2.5A，结合低导通电阻与较小的寄生电容，可在便携设备与电源开关中提供良好的开关与导通性能。

二、主要参数

• 类型：P 沟道 MOSFET（1 只）
• 漏源电压 Vdss：30 V
• 连续漏极电流 Id：2.5 A
• 导通电阻 RDS(on)：98 mΩ（在 |VGS| = 10 V 测试条件下）
• 最大耗散功率 Pd：1 W（实际应用中常见功耗示例 700 mW）
• 栅极电荷 Qg：5.4 nC（@15 V）
• 输入电容 Ciss：460 pF
• 输出电容 Coss：105 pF
• 反向传输电容 Crss：65 pF
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 封装：TSMT-3（小型表贴封装）

三、主要特性

• 低 RDS(on)（≈98 mΩ）在保证较小导通损耗的同时，有利于中小电流场景的效率提升。
• 适中的栅极电荷（5.4 nC）便于被微控制器或简单驱动电路驱动，但在高频 PWM 场景需关注驱动电流与切换损耗。
• 较小的寄生电容（Ciss/Coss/Crss）有助于降低开关损耗并改善切换速度与 EMI 性能。
• 宽工作温度覆盖工业级应用（-55 ℃ 至 +150 ℃）。

四、典型应用

• 电池供电设备的高侧开关与负载断开
• 便携式设备（手机、平板、穿戴）电源管控
• 电源管理与反向保护电路
• 小功率 DC-DC 或线性切换场景
• 音频电路中的静态开关/静电放电保护（需评估热耗）

五、使用建议与注意事项

• P 沟道器件需以相对于源极的负栅压驱动，设计时注意栅源电压范围与驱动逻辑。
• 在 PWM 或快速开关应用中，Qg 与 Ciss 决定了驱动电流要求，建议在高频或较大电流情况下采用专用栅极驱动器或在栅极串联合适阻值以控制 dv/dt。
• 由于封装功耗有限（Pd 标称 1 W），布局时应优化散热路径，减小封装与 PCB 之间的热阻，避免长期高功耗下结温过高。
• PCB 布线要缩短高电流回路，增加铜厚或增加散热铜箔以降低热阻和寄生电感。
• 在实际电路中验证开关损耗和热升，必要时添加热补偿或保护机制（过温关断）。

六、封装与热管理

TSMT-3 小型表贴封装适合体积受限设计，但热阻较大，适合中低功率工作点。若工作点接近器件功耗极限，请通过增加 PCB 散热面积、加铜或使用多层板与散热过孔来改善散热性能。

总结：RSR025P03HZGTL 在 30V/2.5A 级别提供低 RDS(on) 与适中开关特性，适合便携与中小功率电源管理场合。合理驱动与良好散热是发挥其性能并保证可靠性的关键。