FTZ30ET148 产品概述

FTZ30ET148 是 ROHM（罗姆）推出的一款小尺寸表面贴装齐纳二极管阵列，针对电压基准与过压/静电保护等应用进行了优化。该器件在紧凑的 SC-74A（SMD5）封装内集成了两对共阳极结构的齐纳二极管，单个元件即可满足多路参考电压或多点保护需求，适合空间受限、对漏电与温漂有较高要求的便携与工业电子产品。

一、主要特性

• 齐纳稳压值（标称）：30 V（每个二极管）
• 二极管配置：2 对共阳极（两个二极管对共享阳极）
• 反向漏电流 Ir：500 nA @ 23 V（在 23 V 时的典型最大值）
• 稳定耗散功率 Pd：200 mW（单个二极管在规定环境中的耗散能力）
• 齐纳阻抗 Zzt：200 Ω（在规定测量点的动态阻抗）
• 封装：SC-74A（SMD5），适合高速贴装与紧凑 PCB 布局
• 品牌：ROHM（罗姆），具备可靠性与生产一致性保障

二、结构与封装说明

FTZ30ET148 采用 SC-74A 小型封装（SMD5 引脚布局），在一个单封装内实现两对共阳极齐纳二极管。该结构使得两个输出端（各自的阴极）可独立接入电路，而阳极端则为公共节点，便于实现多路电压基准或多点保护时的共用正极连接。小尺寸封装利于在空间受限的移动设备或高密度 PCB 上使用，同时能够兼顾热性能与贴装可靠性。

三、电气性能要点

• 30 V 的标称齐纳电压适用于中低压参考、过压限制与输入保护等场合。需注意该标称值为稳压区的典型值，实际稳压点会随电流、温度与器件偏差有所漂移。
• 500 nA @ 23 V 的低反向电流对静态功耗和高阻抗电路影响较小，适用于要求低漏电的测量或便携系统。
• 200 mW 的耗散能力意味着每个二极管在正常工作下对功率有一定限制，在设计时应避免长时间在接近 Pd 的条件下工作，并注意 PCB 散热路径。
• 200 Ω 的齐纳阻抗表示在稳压区电压随电流变化的灵敏度，设计时通常需配合串联限流电阻来稳定工作点与减小电压波动。

四、典型应用场景

• 电压基准和偏置源：在模拟电路中为放大器、比较器或 A/D 前端提供稳定参考或偏置电压（非高精度应用）。
• 输入/端口保护：用于抑制来自外部的瞬态过压或静电放电，对微控制器或传感器输入提供保护。
• 电平检测/监测电路：作为门槛检测或电压监视器的一部分，结合限流元件实现可靠触发。
• 多通道紧凑设计：两对共阳极结构适合在单封装中实现多路保护或参考，节省 PCB 面积并简化布局。

五、设计与使用建议

• 稳定电流与限流：为保证齐纳稳定工作，应在每个阴极与电源之间串联适当限流电阻，根据所需稳压电流与源电压计算电阻与功率额定。
• 热管理：尽量避免在连续高功率条件下使用单个齐纳二极管，若有较大功率需求宜采用外部散热或选择功率更大的替代方案。
• 漏电影响：在高阻抗或精密测量路径中使用时，需考虑 500 nA 的反向电流带来的偏差，必要时在电路上加入偏置或校准措施。
• 布局注意：保持公共阳极与接地或电源的低阻抗连接，避免长引线引入寄生阻抗，影响稳压性能。

六、选型理由与注意事项

FTZ30ET148 适合需要中等电压（约 30 V）稳压且对面积与成本有要求的应用。其低漏电、阵列化封装与 ROHM 质量支持是主要优势。但若需要高精度稳压（低温漂、低动态阻抗）或更高耗散能力，应考虑专用参考源或更高功率的齐纳器件。选型时还应核对工作温度范围、封装管脚定义与实际电路的工作电压/电流条件。

七、总结

FTZ30ET148 提供了一种在小封装内实现多路 30 V 齐纳稳压与保护的实用方案，适合便携、工业与通信设备中的多点保护与参考需求。合理的限流与热设计、配合正确的 PCB 布局，可充分发挥该器件在低漏电与集成度方面的优势。若需更高精度或更大功率，应在系统级别评估并选用合适的替代方案。