型号:

DTC015EMT2L

品牌:ROHM(罗姆)
封装:SOT-723
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
DTC015EMT2L 产品实物图片
DTC015EMT2L 一小时发货
描述:Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT
库存数量
库存:
8000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:8000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.20758
8000+
0.170526
产品参数
属性参数值
数量1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)20mA
耗散功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE)80@5mA,10V

DTC015EMT2L 产品概述

一、产品简介

DTC015EMT2L 是 ROHM(罗姆)出品的一款预偏置(pre‑biased)NPN 晶体管,采用超小型 SOT‑723(3‑pin VMT)封装,专为数字电路中的开关、驱动与接口功能设计。器件具有50V的集射极击穿电压(Vceo)、150mW 的最大耗散功率和较高的直流电流增益(hFE=80@Ic=5mA、Vce=10V),适合在空间受限且需要可靠开关性能的场合使用。

二、主要电气参数

  • 极性:NPN,预偏置(内置基极偏置网络,便于直接由逻辑信号驱动)
  • 集射极击穿电压 Vceo:50V(器件在此电压以下工作可保证安全裕度)
  • 集电极电流 Ic(额定):20mA(连续工作条件下)
  • 最大耗散功率 Pd:150mW(需按环境温度和散热条件降额使用)
  • 直流电流增益 hFE:约 80(条件:Ic=5mA,Vce=10V)
  • 封装:SOT‑723(3 引脚,适合高密度贴片生产)
  • 品牌:ROHM(罗姆)

注:器件描述中亦见“100mA”的短时或峰值电流信息,针对短脉冲能力建议参照 ROHM 官方数据手册确认具体脉冲极限与脉冲宽度条件,设计时以连续额定 Ic=20mA 和 Pd=150mW 为保守依据。

三、结构与封装优势

SOT‑723(3‑pin VMT)为超小型贴片封装,体积小、引脚间距紧凑,适用于高密度 PCB 布局。预偏置设计在晶体管的基极与输入端之间集成了限流/偏置电阻,简化外围电路,无需额外基极电阻即可直接由逻辑电平驱动(但仍需关注输入电平和所需基极电流以避免超出内部电阻承受能力)。该封装易于自动贴装与回流焊接,适用于消费类电子、便携设备、通信模块等对尺寸和自动化装配有严格要求的产品。

四、典型应用场景

  • 数字信号接口与电平移位:将 MCU 或数字芯片的逻辑输出直接驱动外部开关或小功率负载,利用预偏置特性简化电路设计。
  • LED 驱动与指示灯控制:驱动小电流指示 LED 或状态信号(注意在设计中考虑 Pd 与 Ic 限值)。
  • 开关与复位电路:作为低侧开关或拉低驱动使用,应用于复位、使能控制等逻辑管理场景。
  • 集成模块内的信号缓冲:在空间受限的模块中用作缓冲和隔离器件,提升系统可靠性。

五、设计与使用建议

  1. 热管理与降额设计:Pd=150mW 为器件耗散上限,实际使用中应根据工作环境温度、PCB 散热能力和连续负载情况进行降额。高环境温度或靠近热源时需减小连续集电极电流或增加散热面积。
  2. 基极输入驱动:尽管为预偏置器件,仍需确保输入驱动电平与器件内部偏置匹配,避免长时间施加超额输入电流导致内部电阻过热。对于较高 Ic 需求,应评估是否需要外部限流措施或选用更大功率器件。
  3. 开关速度与寄生效应:SOT‑723 及预偏置结构在快速开关场合具有良好表现,但在高频切换或有长布线时需关注寄生电容、绕组及上升/下降时间对系统信号完整性的影响。
  4. 保护与可靠性:在可能出现反向高压、浪涌或反向电流的应用中,建议加入额外的抑制元件(如二极管、限流器等)以保护晶体管及系统。

六、选型对比与注意事项

  • 若系统需要更高连续集电极电流或更大功率耗散,应考虑功率级别更高的封装或线性/开关场景专用晶体管。
  • 在对开关速度、饱和压(Vce(sat))有严格要求的场合,建议参考完整数据表中饱和电压、开关时间等典型值进行评估。
  • 若应用对温度漂移或长期稳定性敏感,应查看生产商可靠性数据及建议的工作温度范围,并在设计中留足余量。

七、总结

DTC015EMT2L 以其预偏置设计、50V 的耐压能力、较高的 hFE 以及超小 SOT‑723 封装,适合用于空间受限且对数字开关与驱动有可靠性要求的应用场合。设计时重点关注 Pd 与连续 Ic 的降额、输入驱动与内部偏置匹配以及封装散热条件,必要时参照 ROHM 官方数据手册获取更详细的极限、脉冲规格与典型参数以确保长期稳定可靠运行。