IDH10G65C6 产品概述

一、产品简介

IDH10G65C6 是英飞凌（Infineon）推出的碳化硅（SiC）肖特基整流二极管，采用通孔安装的 TO-220-2 封装，面向中高压、高效率电源和电力电子应用。器件设计强调低正向压降、极小反向恢复、电流能力与热耗散的平衡，适合工业电源、逆变器和电机驱动等场合。

二、主要电气参数

• 二极管配置：独立式（单颗器件，非桥式集成）
• 直流整流电流：24 A（器件额定整流能力）
• 典型正向压降：1.25 V @ 10 A（低 Vf 有利于降低导通损耗）
• 直流反向耐压（Vr）：650 V（适用于高压侧整流）
• 反向漏电流（Ir）：1 μA @ 420 V（低漏电流，降低静态损耗）
• 额定功耗：72 W（热设计和散热时需重点考虑）
• 封装：TO-220-2（THT 通孔，便于安装与散热处理）
• 类型：SiC 肖特基整流二极管

三、关键特性与优势

• 低正向压降：在高电流工况下 Vf 较低，可显著降低导通损耗，提高系统效率。
• 几乎无反向恢复：肖特基结构使开关损耗和电磁干扰（EMI）下降，适合高频开关应用。
• 高耐压与低漏电：650 V 阻断能力结合 1 μA 的低漏电流，有利于在高压母线上减少静态损耗与热应力。
• 良好的热耗散能力：TO-220-2 封装配合适当散热器可实现较高的功率处理（示例额定 72 W），便于工程实现与维修。

四、典型应用场景

• 高效率开关电源（SMPS）主整流或回收整流
• 光伏逆变器和储能系统的功率整流单元
• 电机驱动控制电路的自由轮回流保护
• 工业供电和电池充电器的高压整流部分

五、封装与散热设计要点

• TO-220-2 支持螺栓固定至散热片，推荐使用导热胶或硅脂以降低接触热阻。
• 依据系统连续电流与峰值脉冲，合理选择散热器尺寸并考虑自然或强制风冷。
• 电路布局应尽量缩短高电流回路长度，减少环路电感与寄生电阻，以降低尖峰及热耗散。
• 若存在反复大幅脉冲电流，应核查浪涌能力和热循环耐受性，必要时并联器件或选用更大封装。

六、使用建议与注意事项

• 在高温环境下需对正向压降和漏电流进行热漂移评估并留有裕度。
• 设计中应考虑器件的反向耐压裕量，避免在 Vr 接近极限时长期工作。
• 出于可靠性考虑，建议对关键应用进行实际温升与寿命测试。
• 系统级防护（如合适的浪涌抑制、熔断保护与软启动）能延长器件寿命并提升稳定性。

总结：IDH10G65C6 将 SiC 肖特基的高压承受能力与低损耗特性结合在便捷的 TO-220-2 封装中，是面向高效整流与高频功率转换场合的理想选择。在具体应用中，应结合实际工作电流、浪涌条件与散热方案进行综合设计与验证。