BSZ019N03LS 产品概述

一、产品简介

BSZ019N03LS 是英飞凌（Infineon）推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 Vdss 为 30V，适用于中低压开关场合。该器件在 10V 门极驱动下具有极低的导通电阻，配合小型 TSDSON-8 封装，可在空间受限的板级电源和高密度功率转换系统中获得良好表现。

二、主要电气参数

• 漏源电压 Vdss：30 V
• 连续漏极电流 Id：40 A
• 导通电阻 RDS(on)：1.9 mΩ @ Vgs=10 V
• 耗散功率 Pd：69 W（规格书条件下）
• 阈值电压 Vgs(th)：2.0 V @ Id=250 μA
• 总栅极电荷 Qg：44 nC @ Vgs=10 V
• 输入电容 Ciss：2.8 nF
• 输出电容 Coss：960 pF
• 反向传输电容 Crss：140 pF
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 封装：TSDSON-8

三、性能特点与应用场景

• 极低的 RDS(on)（1.9 mΩ）有利于降低导通损耗，适合用于同步整流、降压转换器和功率级开关。
• 30V 电压等级适配 USB-PD、车载电子（非高压总线）、工业控制等中低压应用。
• 较大的 Id（40A）支持较高电流输出的应用，但需关注封装与 PCB 散热设计以发挥器件额定能力。
• 较高的栅极电荷（44 nC）提示在高频开关时门极驱动能量和驱动电流需充足，否则会增加开关损耗与切换时间。

四、驱动与布板建议

• 为获得标称 RDS(on)，建议采用 10 V 门极驱动；在逻辑电平门驱（5 V）下 RDS(on) 将上升，应在系统级评估损耗。
• 由于 Qg 较大，推荐使用低阻抗、高驱动电流的门极驱动器以缩短开关转换时间并降低开关损耗。
• PCB 布局应优化功率回流路径与散热铜箔，门极走线尽量短，退耦电容靠近器件供电端放置以抑制尖峰电压。

五、热管理与可靠性注意事项

• 封装为 TSDSON-8，在高电流、高功率工况下需通过加大散热铜箔和可靠的焊盘设计提升热阻性能。
• 留意工作环境温度和结温限制，必要时采取散热片或多层板散热通道以避免热失效。
• 在高 dv/dt 场合注意栅极-漏极寄生电容（Crss）引起的电压耦合，必要时考虑栅极电阻或 RC 网络缓冲。

六、选型要点与比较

选择 BSZ019N03LS 时，若目标是以最低导通损耗为优先并在 30V 以内工作，该器件是合适的方案；若要在更高频率或更低驱动电压下工作，应评估其 Qg 与在 5V 驱动下的 RDS(on) 是否满足系统效率要求。TSDSON-8 封装适合空间受限的板级功率设计，但散热能力需通过 PCB 协同设计保证。

总结：BSZ019N03LS 综合了低导通电阻与中高电流承载能力，适合用于高效率直流转换和同步整流等场合。实际应用中应注意驱动能力与热设计以充分发挥器件性能。