型号:

BSC252N10NSF G

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TDSON-8(5x6)
批次:25+
包装:-
重量:1g
其他:
-
BSC252N10NSF G 产品实物图片
BSC252N10NSF G 一小时发货
描述:MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS
库存数量
库存:
3899
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.29
5000+
2.2
产品参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))25.2mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)78W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)1.1nF
反向传输电容(Crss)370pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

BSC252N10NSF G 产品概述

一、产品简介

BSC252N10NSF G 是英飞凌(Infineon)基于 OptiMOS 技术开发的一款 N 沟道功率 MOSFET,额定漏源电压 Vdss 为 100V,连续漏极电流 Id 为 40A,封装为 TDSON-8(5×6)。该器件在中高电压、快速开关场合具有较低的导通损耗和良好的热性能,适合开关电源、汽车电子与电机驱动等应用。

二、关键电气参数概览

  • Vdss:100V(最大耐压)
  • Id(连续):40A
  • RDS(on):25.2 mΩ @ Vgs=10V、Id=20A(低导通电阻,降低导通损耗)
  • Pd(功耗耗散):78W(在良好散热条件下)
  • Vgs(th):4V(门极阈值)
  • Qg(总栅电荷):17nC @ Vgs=10V(驱动能量中等)
  • Ciss:1.1nF,Crss:370pF @50V(寄生电容影响开关过渡)
  • 工作温度范围:-55℃ ~ +150℃

三、封装与热管理

TDSON-8(5×6)封装带有低电感引脚布局和底部散热垫,有助于热量快速传导到 PCB。器件 Pd=78W 为最大耗散值,实际使用需配合散热铜箔、散热器或多层 PCB 热通道,并考虑环境温度与温升,按安全余量进行功率与热阻评估。

四、开关与驱动建议

  • 由于 Qg≈17nC(10V),推荐使用能提供足够瞬态电流的驱动器以获得理想的开关速度;必要时选用门极驱动电流较大的驱动芯片或降低驱动阻抗。
  • Crss≈370pF 表示有一定米勒电容效应,开关瞬态可能会受到影响,建议合理配置门极电阻以抑制振铃并控制 EMI。
  • Vgs(th)≈4V,典型工作驱动电压以 10V 为主,以保证较低的 RDS(on)。若系统为 12V/15V 驱动需注意最大 Vgs 耐受限制。

五、典型应用场景

  • 同步整流 DC-DC 转换器与点对点降压模块
  • 开关电源(SMPS)主开关或同步整流器
  • 汽车电子中间总线或辅助电源(需根据汽车等级做额外验证)
  • 电机驱动的小功率阶段与负载开关

六、使用与可靠性注意事项

  • 并联时注意匹配栅驱与噪声抑制,避免热失衡。
  • PCB 布局应缩短功率回路和门极回路,增加散热通过底板的铜箔面积。
  • 满足 ESD、过压、浪涌等系统级保护;在高 dV/dt 场景下考虑 RC 缓冲与 TVS 保护。
  • 在高温或高应力工况下按厂商 SOA/热特性作合适降额设计。

七、小结

BSC252N10NSF G 以 100V 耐压与 40A 连续电流能力、OptiMOS 低导通阻抗与 TDSON-8 低电感封装为亮点,适合需要兼顾导通损耗与开关性能的中高电压电源与驱动场合。设计时应重视门极驱动、寄生电容与热管理,以充分发挥器件性能并保证长期可靠性。