BSC052N08NS5

BSC052N08NS5 产品概述

1. 简介

BSC052N08NS5 是由英飞凌（Infineon）制造的一款高性能场效应管（MOSFET），采用 PG-TDSON-8 封装。这款 MOSFET 专为高效能应用而设计，能够在宽广的工作温度范围内提供卓越的电气性能。其主要应用领域包括电源管理、DC-DC 转换器、马达驱动和其他需要高效率的开关电路。

2. 主要参数

• 功率（Pd）： 83W
  此参数表示 MOSFET 在正常工作条件下能够承受的最大功率，83W 的功率额定值使其适用于多种工业和消费电子应用。

• 反向传输电容（Crss@Vds）： 32pF@40V
  反向传输电容是一种影响开关速度的关键参数。32pF 的值意味着在开关操作时的电荷传递较小，从而降低电能损失，提升开关效率。

• 导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）： 5.2mΩ@10V, 47.5A
  低的导通电阻意味着在导通状态下 MOSFET 的能量损耗非常小，有助于提升整机的能效。5.2mΩ 的导通电阻使其在高电流应用中表现出色。

• 工作温度范围： -55℃ 至 +150℃
  此广泛的工作温度范围使得 BSC052N08NS5 在恶劣环境中仍能稳定工作，适合汽车、工业控制和航空航天等领域。

• 连续漏极电流（Id）： 95A
  该 MOSFET 能够持续承载高达 95A 的漏极电流，非常适合需要高负载的应用。

• 阈值电压（Vgs(th)@Id）： 3.8V@49μA
  该 MOSFET 在 Vgs 为 3.8V 时就能导通，为电路设计提供灵活性，可适应多种驱动电压。

• 漏源电压（Vdss）： 80V
  漏源电压是指此 MOSFET 所能承受的最大电压，80V 的额定值使其适合于多种电源应用，包括低至中压的电源转换器。

• 栅极电荷（Qg@Vgs）： 32nC@10V
  相对较低的栅极电荷使其开关速度较快，能够更有效地减少开关过程中的能量损失，提高系统的整体效率。

• 输入电容（Ciss@Vds）： 2.9nF@40V
  输入电容低，有助于提高频率响应，适合用于高频开关应用。

3. 性能优势

BSC052N08NS5 MOSFET 的设计侧重于低导通损耗和快速开关能力，能够有效降低热量与功耗，非常适合高密度封装的电源管理应用。该器件的低 RDS(on) 和高 Id 特性使其在马达控制和高功率开关等应用中展现出更高的效率和更少的热量产生。

4. 应用领域

• 电源转换器： 适合用于 DC-DC 转换器，能够有效提升转换效率，并减少整体系统的热量产生。
• 电动汽车和混合动力汽车： 由于其能够在高电流和高温环境下稳定工作，非常适合电动汽车的驱动和动力电子系统。
• 工业自动化： 在电机驱动和自动化控制系统中，BSC052N08NS5 可帮助提升系统的可靠性和效率。

5. 结论

BSC052N08NS5 是一款兼具高效能和灵活性的场效应管，凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围，适用于多种严苛的应用需求。这使得它在现代电子设备和电力系统设计中，其优势显而易见，是工程师理想的选择。选择 BSC052N08NS5，将为您的设计提供扎实的基础和超越期望的性能。