IDH20G120C5XKSA1 — Infineon CoolSiC™ 1200 V 碳化硅肖特基二极管 产品概述

一、产品简介

IDH20G120C5XKSA1 为英飞凌第五代 CoolSiC™ 碳化硅肖特基二极管，额定反向电压 1200 V，直流平均整流电流 56 A（DC），在 TO-220-2 实体两引脚（PG-TO220-2-1）通孔封装中实现高功率密度。采用薄晶圆工艺与新的合并 PN 结结构，提升浪涌电流承受能力并兼顾成本与系统可靠性。

二、关键电气参数

• 最大反向电压（Vr）：1200 V
• 平均整流电流（Io）：56 A（DC）
• 正向压降（Vf）：约 1.8 V @ 20 A
• 反向恢复时间（trr）：≈ 0 ns（几乎无反向恢复）
• 反向泄漏电流：123 µA @ 1200 V
• 电容：1050 pF @ 1 V, 1 MHz
• 结温工作范围：-55 °C 至 175 °C

三、主要特性与优势

• 低正向压降和高温稳定性：SiC 材料在高压与高温条件下维持低导通损耗，有利于降低整流器和开关电源的损耗。
• 几乎无反向恢复：trr ≈ 0 降低开关损耗与电磁干扰（EMI），适合高速切换应用。
• 改进浪涌能力：薄晶圆与合并 PN 结结构提升瞬态电流承受，增强系统可靠性。
• 通孔 TO-220 封装：便于散热处理与维修，更适合需外加散热器的中大功率应用。

四、典型应用场景

• 中高压开关电源（SMPS）、有源整流 / PFC
• 逆变器与变频器（工业、电机驱动）
• 太阳能逆变/能量转换系统
• 充电桩与电源模块
• 电信与数据中心电源前端

五、实际使用建议

• 散热：TO-220 需要良好散热路径，建议采用适配散热器并注意导热界面材料与紧固扭矩。
• 布局：保持功率回路低电感环路，尽量缩短芯片至电容与器件之间的走线，降低电压尖峰。
• 保护：尽管浪涌能力有所提升，仍建议通过合适的慢熔断器、热保护与浪涌抑制器对系统进行保护。
• 高频特性：器件电容（~1050 pF）在高频开关设计中会影响开关损耗与 EMI，需在电路设计时评估并搭配合适的滤波/缓冲策略。
• 安装：通孔安装时注意绝缘要求与接地布局，如需绝缘垫片请使用合适的绝缘垫与螺丝。

六、选型要点

选择 IDH20G120C5XKSA1 时应结合系统电压裕量、连续/峰值电流、开关频率与散热条件。若需进一步降低导通损耗或适配更高频率，可与其他 CoolSiC 器件比较 Vf、漏电与电容参数，平衡效率、成本与系统复杂度。

如需器件数据手册、热阻模型或参考电路，可联系供应渠道获取英飞凌官方资料以进行详细热设计与电路仿真。