型号:

IPW60R070CFD7

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-247-3
批次:23+
包装:未知
重量:-
其他:
-
IPW60R070CFD7 产品实物图片
IPW60R070CFD7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 156W 650V 31A 1个N沟道
库存数量
库存:
3
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:240
商品单价
梯度内地(含税)
1+
12.36
240+
12
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)31A
导通电阻(RDS(on))70mΩ@10V,15.1A
耗散功率(Pd)156W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)67nC@10V
输入电容(Ciss)2.721nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)53pF

IPW60R070CFD7 产品概述

一、产品简介

IPW60R070CFD7 是英飞凌(Infineon)推出的一款高压 N 沟道功率 MOSFET,单只器件适用于高压开关应用。器件耐压达 650V,设计用于在较高电压和中等电流条件下实现可靠的开关功能。封装为 TO-247-3,便于散热与工程安装。

二、主要参数(关键规格)

  • 漏-源电压 Vdss:650 V
  • 连续漏极电流 Id:31 A
  • 导通电阻 RDS(on):70 mΩ @ VGS=10 V, ID=15.1 A
  • 阈值电压 Vgs(th):4.5 V
  • 总栅电荷 Qg:67 nC @ VGS=10 V
  • 输出电容 Coss:53 pF
  • 输入电容 Ciss:2.721 nF
  • 最大耗散功率 Pd:156 W(在规定散热条件下)
  • 封装:TO-247-3(单只 N 沟道)

三、性能特点

  • 高耐压特性(650V)适合中高压电源与变换器的主开关元件。
  • 相对较低的导通电阻(70 mΩ @ 10V)在导通期间降低导通损耗,有利于提高效率。
  • 总栅电荷 Qg=67 nC 表明切换时需要较大栅驱动能量,应配合合适的栅极驱动器以保证开关速度与损耗平衡。
  • Ciss 较大(2.721 nF),对驱动器带宽和开关缓冲有影响;Coss 较小(53 pF)则有利于降低开关时对负载的电容性冲击。

四、热管理与封装

TO-247-3 封装提供良好的散热条件,最高耗散功率 Pd=156 W(基于指定的散热基准)。在实际设计中建议:

  • 采用适当的散热片或底板,并保证良好热阻路径(低 RthJC/RthJA)。
  • 对于高频开关或连续大电流工作,应进行热仿真并预留足够余量,避免结温超限影响可靠性。

五、典型应用场景

  • 开关电源(SMPS)主开关与功率级
  • 逆变器与电机驱动中的高压开关单元
  • PFC(功率因数校正)电路的开关器件
  • 太阳能逆变器、工业电源与高压电源模块

六、设计与使用建议

  • 栅极驱动:由于 Qg 较大,推荐使用能提供足够电流的驱动器,并根据开关速度要求选配合适的栅阻以抑制振铃与过冲。
  • 布局注意:最小化漏源回路的寄生电感,保证开关瞬态期间的稳定性。
  • 保护措施:在高压开关应用中建议配合合适的吸收网络(RC、RCD)或 TVS,以限制过压和防止器件受击穿应力。
  • 测试与老化:量产前进行热循环与压力测试以验证长期可靠性。

七、采购与注意事项

IPW60R070CFD7 为单只 N 沟道 MOSFET,采购时确认真伪与批次,并参考英飞凌官方数据手册获取完整的典型曲线与极限值(如脉冲电流、能量吸收参数与温度系数),以便在具体应用中进行精确设计与安全裕量计算。

总结:IPW60R070CFD7 以 650V 耐压、70 mΩ 导通电阻与 TO-247-3 封装,为工业级高压开关提供了平衡的导通能力与可管理的开关特性,适合用于中高压电源与变换器等场景。