型号:

1.5KE39A

品牌:ST(意法半导体)
封装:DO-201
批次:两年内
包装:-
重量:1.071g
其他:
-
1.5KE39A 产品实物图片
1.5KE39A 一小时发货
描述:Diode: TVS; 1.5kW; 39V; 28A; unidirectional; DO201; Ammo
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:600
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.36
600+
1.25
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)33.3V
钳位电压69.7V
峰值脉冲电流(Ipp)143A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)1.5kW@10/1000us
击穿电压39V
反向电流(Ir)1uA
类型TVS
Cj-结电容2400pF

1.5KE39A 产品概述

一、产品简介

1.5KE39A 为单向 TVS(瞬态电压抑制)二极管,属于高能脉冲保护器件,封装为 DO-201,品牌为 ST(意法半导体)。该器件设计用于吸收沿电源线或信号线上突发的瞬态过电压(例如雷击浪涌、开关尖峰),以保护下游电子元件不被击穿或损坏。器件在规定的脉冲波形下可提供高达 1.5kW 的瞬态吸收能力,适合要求较高浪涌防护的场合。

二、主要规格参数

  • 类型:TVS,单向
  • 反向截止电压 Vrwm(工作反向电压):33.3 V
  • 击穿电压(Vz):39 V(典型/名义)
  • 钳位电压 Vc(脉冲钳位):69.7 V(对应规格测试条件)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:1.5 kW @ 10/1000 μs
  • 峰值脉冲电流 Ipp:143 A @ 8/20 μs
  • 结电容 Cj:≈2400 pF(在指定偏压下)
  • 反向漏电流 Ir:≈1 μA(在 Vrwm 附近)
  • 极性:单向(正向钳位有效)
  • 封装:DO-201(轴向大功率整流二极管类封装)
  • 包装形式:Ammo(卷带或弹药盒式大批量包装可选)

注:有资料项标注“28A”,在不同测试波形或规格表中该数字可能对应某一脉冲电流或额定电流,请以官方规格书为准。

三、特性与优势

  • 高能量吸收:1.5 kW(10/1000 μs)峰值能力,可有效应对雷击类和工业浪涌。
  • 低反向漏电:反向漏电流约 1 μA,减少静态功耗与热影响。
  • 单向结构:对直流供电线路保护更为直接,钳位响应迅速。
  • 大结电容:约 2400 pF,适用于低速信号或电源线保护,但对高速信号链会产生影响需谨慎。
  • 轴向 DO-201 封装:便于波峰/回流焊或手工焊接,机械强度高,适合高能量散热需求。

四、典型应用场景

  • 工业电源、配电模块的浪涌保护。
  • 通讯电源、基站设备的直流供电防护。
  • 电机驱动、逆变器输入侧的过压抑制。
  • 需要高能量吸收且允许较大结电容的低速信号或控制线路防护。

五、封装与安装建议

  • DO-201 为轴向引线封装,焊接时注意避免长期高温导致器件参数漂移,建议遵循厂家回流/波峰焊温度曲线。
  • 工作时会产生热量,需保证散热路径畅通;大功率/高重复脉冲工况下建议在器件附近留出散热铜箔或金属散热体。
  • 对于多次脉冲或极端雷击环境,考虑在输入侧加串联限流元件(熔断器、NTC、阻抗)分担能量。

六、选型要点与注意事项

  • 钳位电压 69.7 V 意味在过压时下游电路仍需能承受该电压峰值;对低压精密器件需选择更低钳位电压或增加后级抑制。
  • 结电容 2400 pF 对高速或高阻抗信号链影响明显,若用于信号线(如高速数据),应优先考虑低容值型号。
  • 不同脉冲波形(8/20 μs 与 10/1000 μs)下器件表现不同,务必按实际浪涌能量谱对照规格书中相应测试条件选择。
  • 最终选型与布线、散热、反复冲击次数等工况密切相关,建议结合 ST 官方数据手册和实际浪涌测试验证设计可靠性。

如需更详尽的电气特性曲线、封装尺寸、热阻参数或正式规格书(datasheet),建议参考 ST 官方文档或提供具体使用工况以便给出更精准的选型和布局建议。