2SC5876U3T106Q 产品概述

一、概述

2SC5876U3T106Q 是 ROHM（罗姆）推出的一款小功率 NPN 双极型晶体管，封装为 SOT-323（SC-70-3），面向便携式与空间受限电路的开关与放大应用。器件在 60V 集电极-发射极击穿电压下，可承受最高 500mA 集电极电流，特征频率 fT 达 300MHz，兼具高增益与良好开关特性，适合高速信号处理与驱动场合。

二、主要参数

• 晶体管类型：NPN（BJT）
• 最大集电极电流 Ic：500 mA
• 集电极-发射极击穿电压 Vceo：60 V
• 耗散功率 Pd：200 mW（封装与 PCB 散热相关）
• 直流电流增益 hFE：120（典型，条件：Ic=50mA, Vce=2V）
• 特征频率 fT：300 MHz
• 集电极截止电流 Icbo：1 μA（典型）
• 集-射极饱和电压 VCE(sat)：150 mV（典型）
• 射基极击穿电压 Vebo：6 V
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：SOT-323（SC-70-3）

三、特点与优势

• 低 VCE(sat)（约 150 mV），在开关应用中导通损耗低、效率高。
• 高 hFE（在中等电流下），减少基极驱动电流，利于驱动级设计。
• fT 高达 300 MHz，适合高频小信号放大或高速开关。
• 封装小巧，适合便携、空间受限产品与表贴工艺。

四、典型应用

• 便携式设备的开关与驱动（如继电器/小马达驱动前级）
• 宽带/射频前置放大器与信号放大单元（受限于功率与线性度）
• 逻辑电平转换、缓冲驱动与功率密度受限的电源管理电路
• 高频开关与变换器中的控制与驱动器件

五、设计与使用注意事项

• 功耗管理：Pd 仅 200 mW，实际允许的 Ic×Vce 受封装与 PCB 散热能力限制。需按环境温度与 PCB 铜箔面积进行热降额设计，避免长时间在高损耗工况下工作。
• 驱动与饱和：VCE(sat) 典型 150 mV 在特定 Ib 条件下测得，设计时需按目标电流计算所需基极电流（考虑 hFE 在高电流下可能下降）。
• 高频特性：fT=300MHz 表明高频响应良好，但在射频链路应用时仍需关注寄生电容、封装引线和布局导致的带宽限制。
• 漏电与温漂：Icbo 典型 1 μA，温度升高时截止电流会增加，长期偏置电路需考虑温度漂移。
• 封装与引脚：SOT-323 引脚定义可能因厂商标注不同，实际设计与布局前应参照 ROHM 官方数据手册确认引脚与焊盘尺寸。
• 可靠性与焊接：遵循厂商推荐的回流焊温度曲线与 ESD 防护措施，避免超温与静电损伤。

六、封装与采购

封装：SOT-323（小外形，适合高密度 SMT 装配）。
型号完整标示：2SC5876U3T106Q，品牌：ROHM（罗姆）。批量采购或替换时建议以官方数据手册为准，确认温度特性、引脚排列与封装尺寸，以确保电路兼容性与长期可靠性。

如需电路示例、等效型号对比或按具体工作点的热降额计算，可提供工作条件以便进一步分析。