UMH3NFHATN 产品概述

一、产品简介

UMH3NFHATN 是 ROHM（罗姆）推出的一款双通道 NPN 预偏置数字晶体管，集成基极电阻，便于微控制器或逻辑电路直接驱动。器件在 SOT-363 小型封装中提供两路独立 NPN，适合体积受限的消费电子与便携设备中作为开关或驱动单元使用。

二、主要规格

• 集-发极击穿电压 Vceo：50 V
• 集电极电流 Ic：100 mA（单通道）
• 最大耗散功率 Pd：150 mW（Ta 条件下）
• 直流电流增益 hFE：≈100（条件：Ic=1 mA, Vce=5 V）
• 射极-基极击穿电压 Vebo：5 V
• 输入电阻（基极内置电阻）：4.7 kΩ
• 封装：SOT-363（超小型六引脚）

三、器件特性与优势

• 预偏置设计：内置基极电阻，简化外围元件，降低设计复杂度，可直接由 MCU/逻辑输出驱动。
• 高频响应良好，适合开关应用与逻辑级驱动。
• 小型封装（SOT-363），节省 PCB 面积，适用于空间受限的模块化设计。
• 放大倍数在低 Ic 区间保持较高 hFE，有利于弱驱动电平下获得稳定开关性能。

四、典型应用场景

• MCU 的低侧开关与驱动（指示灯、继电器驱动前级、光耦驱动）。
• 电平转换与接口缓冲。
• 手机、穿戴、传感器模块等便携设备中用作小电流开关。
• PCB 上的通用开关/保护前置电路。

五、设计与使用注意事项

• 确认功耗余量：Pd 150 mW 为环境温度下额定耗散，实际应用中应考虑散热与厚铜、过孔等散热措施并进行温升计算，必要时限流或并联器件。
• 避免超过 Vceo（50 V）及 Vebo（5 V）限制，防止击穿损坏。
• 基极内置 4.7 kΩ 电阻在不同工作点会影响基极电流与开通速率，设计时按该电阻计算驱动电流和延迟。
• 当 Ic 接近 100 mA 时，hFE 会下降，应验证在目标电流下的开通电压与热稳定性。
• SOT-363 封装引脚间距与焊接工艺要求精细，建议在布局时预留测试焊盘并采用适当回流曲线。

六、包装与采购建议

• 采用 SOT-363 小封装，适合高密度贴片组装。
• 采购时注意订货编码与卷带包装规格，确认湿敏等级及存储条件以避免焊接时的吸湿损伤。

综上，UMH3NFHATN 以其预偏置、体积小与良好低电流放大性能，适合需要简化外围元件、节省空间的开关驱动与接口缓冲场景。在设计中应重点关注功耗热管理与基极内阻带来的驱动限制。