RBR2MM30BTR 产品概述 — ROHM(罗姆) 低压差肖特基二极管

一、产品简介

RBR2MM30BTR 是 ROHM（罗姆）推出的一款独立式肖特基整流二极管，封装为 SOD-123FL，面向要求低正向压降与中等电流能力的电源与整流应用。该器件以约 490mV 的正向压降（在 2A 条件下）和 30V 的反向耐压为主要卖点，适用于开关电源、降压转换器、二极管整流与反向保护等场景。

二、主要电气参数

• 型号：RBR2MM30BTR（ROHM）
• 封装：SOD-123FL（独立式）
• 正向压降：Vf = 490 mV @ If = 2 A
• 额定整流电流：If = 2 A
• 非重复峰值浪涌电流：Ifsm = 30 A（单次浪涌）
• 直流反向耐压：Vr = 30 V
• 反向漏电流：Ir = 80 μA @ Vr = 30 V 这些参数反映出器件在中等电流、低压差整流场合的优秀性能。

三、性能与优势

• 低正向压降：在 2A 工作点下 Vf ≈ 490mV，减少导通损耗，提高系统效率，适合对效率敏感的电源前端与降压输出。
• 快速响应与低反向恢复：肖特基结构本征具有低反向恢复特性，可降低开关损耗与电磁干扰（EMI）。
• 紧凑封装：SOD-123FL 体积小，便于空间受限的板级设计与高密度布局。
• 良好的浪涌承受能力：30A 的非重复峰值浪涌能力可应对瞬态启动或短时浪涌事件。

四、典型应用场景

• 开关电源（整流、二次侧整流）
• 降压转换器输出整流
• 电池充电与电源管理模块
• 反向电流保护与低压差续流二极管
• 小型适配器与车载电子（需评估温升与耐压要求）

五、设计与使用注意事项

• 温度与漏电：反向漏电流随温度上升显著增加，实际应用中需注意热设计与在高温环境下的漏电对电路的影响。
• 散热与载流降额：虽然封装小巧，但2A 持续电流在无散热条件下会导致显著结温上升，建议在 PCB 上增加铜箔散热或靠近散热面布局，必要时进行电流降额。
• 浪涌保护：Ifsm 为非重复峰值浪涌能力，适用于瞬态浪涌；若存在重复性或长时间浪涌，应采取外部限流或选择更高浪涌等级的器件。
• 反向电压裕量：Vr = 30V，在选择器件时应确保电路最大可能反向电压有足够裕量，避免长期接近极限值。

六、封装与可制造性

SOD-123FL 提供表面贴装便利性，适合自动贴装与回流工艺。因体积小，焊盘与焊接工艺需按照制造商推荐的 PCB 焊盘尺寸与回流曲线执行，以保证可靠焊接与热性能。

七、选型建议

• 若目标为提高整流效率并在 30V 以下工作，RBR2MM30BTR 是优选之一。
• 在高温或高反向漏电敏感的应用，需评估漏电与效率权衡，或考虑更高耐压/低漏电型号。
• 对于要求更高浪涌或更大持续电流的应用，应选择额定更高的封装或并联/增加散热措施。

总结：RBR2MM30BTR 以其低正向压降（490mV@2A）、30V 耐压与 2A 整流能力，结合 SOD-123FL 小型封装，适合空间受限且对效率有要求的电源整流与保护用途。实际应用时请注意热管理与漏电随温度上升的影响，确保长期可靠性。