LESD3Z5.0CMT1G 产品概述

一、产品简介

LESD3Z5.0CMT1G 是友台半导体（UMW）推出的一款 SOD-323 封装的单向 ESD 抑制二极管，针对 5V 工作电压系统提供高效的瞬态浪涌保护。器件在常态下具有低漏电和较小的结电容，能在电磁兼容（EMC）事件中迅速钳位，保护后端敏感电子元件不被过电压损坏。

二、主要性能参数

• 反向截止电压 Vrwm：5 V（适用于典型 5V 系统）
• 击穿电压 BV：5.6 V（触发保护动作）
• 钳位电压 Vc：18.6 V（Ipp 条件下）
• 峰值脉冲电流 Ipp：9.4 A @ 8/20 μs（一次性浪涌能力）
• 反向电流 Ir：1 μA（在 Vrwm 下的典型泄漏）
• 结电容 Cj：25 pF（对信号完整性影响可控）
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +125 ℃
• 符合 IEC61000-4-2（ESD）与 IEC61000-4-4（EFT）抗扰度要求

三、应用场景

• USB、UART、I2C、SPI 等 5V 或低压接口的输入/输出端口保护
• 移动设备、便携终端、智能家电、物联网模块的接口防护
• 接口板、连接器与外部传感器线路的浪涌与静电防护
• 工业控制与仪表中需要抗干扰保护的 I/O 端口

四、设计与布局建议

• 器件应尽量贴近被保护的连接器或接口处布置，以缩短环路和降低感抗。
• 将 SOD-323 的地端通过低阻抗接地平面或多条过孔（vias）直接回至系统接地，以便快速释放能量。
• 避免在被保护信号线与 TVS 之间增加长导线或绕组，必要时可搭配小阻值串联电阻以分流能量并改善稳定性。
• 对高速差分信号或高带宽应用，需评估 25 pF 的结电容对信号完整性的影响；对极高带宽（如 USB3.0）场景建议选用更低电容的专用器件。

五、可靠性与注意事项

• 器件具备良好的温度范围（-40 ℃ ~ +125 ℃），适应常见工业与消费环境。
• 峰值 8/20 μs 浪涌能力适合典型电源浪涌和静电放电事件，但重复大能量冲击会降低器件寿命，设计时应考虑保护器件的级联或增加限流元件以延长寿命。
• 存储与焊接：按 SOD-323 表面贴装工艺及一般防潮回流焊要求处理与储存，避免超出推荐回流曲线导致封装应力或性能退化。

六、封装与选型提示

• 封装：SOD-323，体积小，适合高密度 PCB 布局与批量自动贴装。
• 若电路对结电容非常敏感或需要更高脉冲承受能力，可参考同系列或其他封装（如 SOD-523、SOD-826、SMB）替代型号。
• 选型时根据系统最大工作电压、允许泄漏电流、信号带宽与浪涌能量等指标综合评估。

总结：LESD3Z5.0CMT1G 为 5V 系统提供了体积小、响应快且符合 IEC ESD/EFT 标准的保护方案，适用于各种消费类与工业应用的接口防护。合理的 PCB 布局与热/电设计能充分发挥其保护性能并延长系统可靠性。