STTH112UFY 产品概述

一、主要特性

STTH112UFY 是意法半导体（ST）推出的一款高耐压、快恢复二极管，定位于高压整流与开关电源应用。其关键参数包括：正向压降 Vf = 1.9V @ 1A，额定直流反向耐压 Vr = 1.2kV，额定整流电流 1A，反向漏电流 Ir = 5µA @ 1200V，反向恢复时间 Trr ≈ 75ns，工作结温范围 -40℃ ~ +175℃，封装为 SMBflat。该器件在高电压场合具有较低的反向漏电和适中的恢复速度，适合用于高效率且具有一定开关频率的电源拓扑。

二、典型应用

• 高压开关电源（HV SMPS）次级/整流回路
• 开路/断路保护与高压整流（例如高压直流源）
• PFC（功率因数校正）中的高压整流元件（视拓扑与频率选型）
• 高频变换器的自由放电/续流二极管（在允许的恢复损耗范围内）
• 工业与医疗设备中的高压整流与保护电路

三、电气参数要点

• 正向压降 1.9V @ 1A：在 1A 工作电流下正向损耗明显，设计时需考虑功耗与散热。
• 反向耐压 1.2kV：适合高压整流场景，但串联多级时需额外注意耐压分配。
• 反向漏电 5µA @ 1200V：高压下漏电控制良好，有利于待机和高压保持性能。
• 反向恢复时间 75ns：比普通慢恢复二极管快，可降低开关损耗与应力，但仍有一定恢复电流，会产生开关尖峰与 EMI，需要在电路中采取抑制措施。
• 工作结温 -40℃ ~ +175℃：适合高温工况，但长期高温会加速老化，应保证结温在安全范围内运行。

四、封装与热管理

SMBflat 封装体积紧凑，适合 PCB 表面贴装。由于 Vf 较大，1A 连续通流时产生的功耗不可忽视（P = Vf × I），需在 PCB 设计中预留足够的铜箔面积用于散热，必要时并配合散热片或强制风冷。对于冲击电流、浪涌和瞬态高温情形，应参照器件数据手册的峰值电流与热阻指标评估短时能力。

五、设计与使用注意事项

• 反向恢复引起的电压尖峰：在高速开关或大电感回路中，75ns 的恢复会产生瞬时电流峰值，建议使用RC/RCD 吸收、缓冲网络或合适的驱动/布局来抑制尖峰与 EMI。
• 并联/串联使用：若需提高电流或耐压，通过并联/串联实现时，必须加入均流/均压措施（限流电阻或阻容分压等），并注意匹配器件的温度与特性差异。
• 替代与兼容：选择替代品时关注 Vr、Vf、Trr 与 Ir 三项的匹配，避免因恢复时间或漏电差异导致系统性能下降。
• 温度与寿命：避免长期在高结温附近工作，合理设计散热与工作裕度以延长可靠性。

六、结论与采购建议

STTH112UFY 适合对耐压要求高且需要比慢恢复二极管更快恢复性能的高压整流场景。其低漏电与耐高温特性在高压电源、PFC 及工业设备中具有优势。最终选型应以完整数据手册为准，关注峰值重复耐压、浪涌电流、热阻与电气测试条件，并在样机阶段进行热、EMI 与浪涌测试验证。购买时优先从正规渠道获取原厂或授权分销商产品，确保器件一致性与可靠性。