CL21Y105KCYVPNE 产品概述

一、产品概述

CL21Y105KCYVPNE 为 SAMSUNG（三星）生产的贴片多层陶瓷电容（MLCC），标称电容值 1.0 µF，容差 ±10%（K），额定电压 100 V，介质为 X7S，封装为 0805（公制 2012，约 2.0 mm × 1.25 mm）。此型号在体积与电容量之间取得平衡，适用于对体积、耐压与频率特性有综合要求的中高电压电路应用。

二、主要参数

• 电容：1.0 µF
• 容差：±10%（K）
• 额定电压：100 V DC
• 介质：X7S（Class II）
• 封装：0805（2012，约 2.0 × 1.25 mm）
• 品牌：SAMSUNG（三星）

三、电气与热性能特性

• 温度特性：X7S 系列介质设计用于较宽温度范围下工作，通常覆盖约 −55 ℃ 至 +125 ℃。相较于 NP0/C0G（温度系数极小），X7S 属于介电常数较高的 Class II，体积效率好，但随温度与偏压会有一定的电容变化。
• 频率特性：MLCC 固有低等效串联电阻（ESR）与低等效串联电感（ESL），在高频去耦与滤波场合表现优良。
• DC 偏压效应：Class II 陶瓷在施加直流电压时会发生显著的电容衰减，尤其在额定电压靠近上限时更明显。1 µF 在 100 V 工况下的实际有效电容可能显著低于静态标称值，建议查阅厂商 DC-bias 曲线或在目标电压下进行实际测量。
• 寿命与稳定性：陶瓷电容一般无极性、寿命长、抗高频脉冲能力好；但对机械应力和温度循环较敏感，封装尺寸与端接工艺直接影响可靠性。

四、典型应用场景

• 高压电源去耦与旁路：适合 48 V、72 V 等中高压轨道以及需要 100 V 等级余量的电源滤波。
• 开关电源输入/输出滤波与稳定回路：用于抑制高频干扰、降低纹波与提供快速瞬态电流。
• 工业与通信设备：体积受限但需要较高耐压的滤波和旁路场合。
• 模拟电路与功率模块中的局部旁路（非精密时间基准场合，不建议用于对容值精度极高的定时/谐振电路）。

五、封装、焊接与可靠性建议

• 0805 尺寸便于自动贴片和大批量装配，适合表面贴装工艺（SMT）。
• 推荐按 JEDEC / IPC 的回流焊曲线进行焊接，避免过高峰温与过长高温保温时间。
• 注意焊接应力与基板翘曲，陶瓷电容对弯曲应力敏感，焊盘布局与阻焊设计应尽量减小端面应力集中，必要时加入挡胶或合理设计丝印/支撑。
• 存储与湿敏：遵循厂商的烘干与 MSL（湿敏等级）要求，必要时进行返焊前烘烤以防止吸湿导致的焊接裂纹。

六、设计注意事项与建议

• DC-bias 验证：在最终电路中务必测量实际工作电压下的电容值，以评估是否满足去耦/滤波需求；若在高电压下电容衰减过大，考虑并联多个电容或选用介电损失更小的器件（更大尺寸或不同介质）。
• 容差与温漂：±10% 的静态容差配合 X7S 的温度特性，适合对精度要求不苛刻的旁路与滤波应用。对精密计时、频率确定电路，应优先考虑 NP0/C0G 类器件。
• 并联与分层去耦：在电源设计中可与低值、高频性能更好的 MLCC（例如 0.1 µF 或 0.01 µF）并联，覆盖更宽的频率响应，提升瞬态响应能力。
• 可靠性评估：用于汽车、工业高可靠场合时，应配合温度循环、机械冲击与长期老化试验，关注贴片断裂与容量漂移。

总结：CL21Y105KCYVPNE（SAMSUNG，0805，1 µF，±10%，100 V，X7S）在体积受限且需要较高耐压的去耦与滤波场合具有良好性价比。但因 X7S 及 Class II 陶瓷在温度和直流偏压下的容量变化特性，设计时应进行 DC-bias 与温度下的实际验证，并根据需要采取并联、容量保留或更改介质方案以满足系统要求。若需更详细的电压偏置曲线、温度曲线或封装外形尺寸与回流焊工艺参数，建议参考三星官方数据手册或联系经销商获取完整资料。