LPB8917DT0AG 产品概述

一、主要特性

LPB8917DT0AG 是一款高压 P 沟道场效应管（P‑MOSFET），由乐山无线电（LRC）生产，适合高压高侧开关与保护电路。主要电气参数如下：

• 漏源耐压 Vdss：150 V
• 连续漏极电流 Id：1.8 A（封装及散热受限）
• 导通电阻 RDS(on)：750 mΩ @ Vgs=−10 V（测试电流 3 A）
• 最大耗散功率 Pd：1.6 W
• 栅阈电压 Vgs(th)：约 2 V
• 总栅极电荷 Qg：10 nC @ Vgs=30 V
• 输入电容 Ciss：659 pF @ Vgs=15 V
• 反向传输电容 Crss：30 pF @ Vgs=15 V
• 工作温度范围：−55 ℃ ～ +150 ℃
• 封装：DFN3333‑8A（小型表贴）

二、典型应用场景

LPB8917DT0AG 适用于需要高压耐受与小体积高侧开关的场合，典型应用包括：

• 电源管理中的高侧负载开关与反向保护
• 半导体开关的快速断开与软启动电路
• 工业控制与通信设备的高压负载切换
• 需要在空间受限处实现较低导通损耗的便携或车载辅电（在额定条件下使用）

三、性能与使用要点

• 导通性能与热限制：RDS(on) 在 Vgs=−10 V 条件下为 750 mΩ（测量电流 3 A），但器件连续电流规格为 1.8 A，说明在实际长期工作中应以封装热阻和 PCB 散热能力为准，超出时需外部散热或并联器件。
• 栅极驱动：较小的 Qg（10 nC）和中等 Ciss（659 pF）意味着栅极驱动能量需求适中，使用 10 V 以上的负栅压可获得标称导通电阻；Crss 仅 30 pF，有利于降低米勒效应，提高开关速度。
• 开关损耗与布局：由于为高压器件，开关瞬态过程中的能量损耗不容忽视。建议短电感环路、合理的旁路电容以及低阻抗栅极驱动路径以减小振铃与过冲。
• 工作环境：允许的宽温度范围（−55 ℃ 至 +150 ℃）适合工业级应用，但功率耗散在高温下会显著下降，需按温度特性曲线设计裕量。

四、封装与热管理建议

DFN3333‑8A 小型化封装适合空间受限的 PCB 布局。为保证长期可靠运行，推荐：

• 在器件下方与焊盘周围布置足够的铜箔以提升散热能力；必要时接地平面与散热孔配合使用。
• 对于接近连续额定电流的应用，评估实际结‑壳温升并考虑外部散热片或风冷。
• 若需要更高电流能力，可通过对称并联多只器件并配合良好 PCB 平衡走线实现，但需注意栅极驱动同步与热均衡。

LPB8917DT0AG 在高压小电流场合表现平衡，适合作为高侧开关和保护元件使用。选型时应综合考虑系统电压、峰值与持续电流以及散热条件，确保工作点在安全区内。