QSG0115UDJ-7 产品概述

一、产品简介

QSG0115UDJ-7 为 DIODES（美台）出品的肖特基势垒二极管器件，内部为两对共阴极（two pairs, common cathode）结构，采用紧凑型 SOT-963 封装。器件具有低正向压降与较小反向漏电流，适合在低压、低功耗与高速开关场景中做整流、反向保护与电平隔离等应用。

二、主要电气参数（典型/额定值）

• 正向压降 Vf ≈ 0.40 V @ IF = 10 mA
• 直流反向耐压 Vr = 15 V
• 最大整流电流（单二极管/器件额定）约 100 mA
• 反向漏电流 Ir ≈ 15 μA @ Vr = 10 V

（以上数值以产品规格书为准，实际应用请按温度和工况做降额设计）

三、特性与优势

• 低正向压降：在中小电流工作点能显著降低功耗与压降，提升效率。
• 低漏电流：在中等反向电压下仍保持较小漏电，利于保持低待机损耗。
• 共阴极双对结构：一颗器件可实现双路整流或实现双路保护，节省 PCB 面积与装配复杂度。
• 小型封装（SOT-963）：适合空间受限的便携式和消费类电子产品。

四、典型应用场景

• 低压整流与电源二极管（USB、便携电源）
• 反向/防倒流保护电路（电源切换、ORing）
• 快速开关与钳位电路（保护敏感器件）
• 多路电源管理、逻辑电平隔离与整流桥小电流场合

五、布局与使用建议

• 将二极管靠近输入或保护节点布局，缩短走线以降低串联阻抗与感性耦合。
• 对于持续接近额定电流的应用，应关注热堆积和降额设计，合理分配散热路径。
• 若存在高频纹波或脉冲浪涌，建议配合合适的 RC 滤波或限流保护，以保护肖特基结免受瞬态冲击。
• 在多层板上，可在二极管底部放置大面积 GND 或铜箔以改善热扩散（视封装与制造工艺而定）。

六、可靠性与注意事项

• 器件对浪涌电流和热应力敏感，避免长时间超额定工作条件。
• 在焊接工艺上遵循厂家回流焊温度曲线，避免过高温度和长时间暴露。
• 出于良品率与长期稳定性考虑，建议在设计阶段留有适当的电流与温度裕量。

七、采购与资料

订购型号：QSG0115UDJ-7；品牌：DIODES（美台）；封装：SOT-963。欲获取完整的电气特性曲线、封装尺寸、回流焊曲线与可靠性测试数据，请参考 DIODES 官方规格书与器件数据手册，或向供应商索取最新资料以确保设计与生产一致性。