MCR100-6 产品概述

MCR100-6 是创基（CBI）出品的高耐压、小封装可控硅（SCR）器件，采用SOT-23小型表贴封装，适合在空间受限且需要可靠过流/过压保护或半波整流控制的应用中使用。器件针对工业级及汽车级环境的宽温度范围设计，具备较低门极触发电流和较低通态压降的特点，便于与高阻抗驱动电路或微控制器直接配合驱动。

一、主要特点

• 工作温度范围广：-55℃ ~ +150℃，满足严苛环境与长寿命应用要求。
• 高耐压能力：断态峰值电压 VDRM = 400V，适用于高压直流或脉冲阻断场合。
• 低触发门限：门极触发电流 IGT = 200 μA，门极触发电压 VGT ≈ 800 mV，灵敏度高。
• 低保持电流：保持电流 IH = 5 mA，有利于在低电流回路中维持导通状态。
• 适度通态电流：额定通态电流 IT = 800 mA（视封装和散热条件），通态峰值电压 VTM = 1.7 V（典型值），通态损耗较低。
• 封装：SOT-23 表贴，便于自动贴装和小型化电路设计。

二、典型电气参数（基于给定规格）

• 工作温度：-55℃ ~ +150℃
• 断态峰值电压（VDRM）：400 V
• 通态峰值电压（VTM）：1.7 V（典型）
• 通态电流（IT）：800 mA（瞬态/受限热条件）
• 门极触发电流（IGT）：200 μA
• 门极触发电压（VGT）：800 mV
• 保持电流（IH）：5 mA

三、封装与热管理

SOT-23 封装体积小、适合表面贴装工艺，但热阻相对较高。根据典型通态压降与最大电流计算，设备在大电流条件下会产生显著功耗（P ≈ VTM × IT），例如在 800 mA 且 VTM ≈ 1.7 V 时，理论功耗约 1.36 W，这在SOT-23封装中难以长期承受。因此：

• 建议在设计时尽量降低连续电流或采用脉冲短时工作方式。
• 通过拓宽铜箔、增加散热层或带通孔的PCB散热设计来改善热阻。
• 对于需要长时间高电流工作的场合，应评估器件的实际温升并考虑使用更大散热能力的封装或并联器件（并联需注意均流问题）。

四、典型应用场景

• 开关电源/适配器的初级侧故障保护（如过压/过流自锁型箝位、crowbar）
• 电池充电器的过流保护与断电检测
• 半波整流或直流开关控制（小功率电机、加热器等短时负载）
• 逻辑/模拟驱动下的低电流锁存/切换电路
• 需要高耐压且门极灵敏的保护器件场合

五、使用与选型建议

• 驱动门极时应保证门极电流 ≥ IGT（200 μA）有一定裕量。举例：使用 3.3 V 驱动时，门极串联电阻 R ≈ (3.3 V − VGT) / Idesired；若目标触发电流取 400 μA，则 R ≈ (3.3−0.8)/0.4m ≈ 6.25 kΩ。实际应根据电路噪声和驱动能力调整。
• 当电路中可能出现反向电压或交流成分时，确认器件为单向可控硅并采取相应电路拓扑（若需双向导通，考虑使用两只反向并联或选择可替代器件）。
• 评估实际通态电流下的温升与功耗，必要时限制导通时间或采用热保护措施。
• 在高阻抗或高噪声环境中，可在门极与阴极之间并联小电容或采用RC滤波防止误触发。

六、注意事项与可靠性建议

• 在回流焊接时遵循SOT-23标准的焊接曲线，避免过高峰值温度与长时间暴露以保证可靠性。
• 若用作保护元件（如crowbar），应在设计中考虑触发后短路电流的极限及熔断器或限流措施，避免器件及板上其它元件被破坏。
• 长期工作在高温（接近 150℃）环境会缩短寿命，应做可靠性评估并增加热裕度。
• 对于需要认证（如汽车级 AEC-Q）的应用，应确认供应商的对应认证与批次测试资料。

七、总结

MCR100-6（CBI）是一款高耐压、门极灵敏、适用于小功率控制与保护的SOT-23封装可控硅。凭借400 V 的阻断能力和 200 μA 的低门极触发电流，适合在空间受限且要求高压耐受和低驱动能力的电路中应用。但应重视SOT-23的热管理限制，在高电流场合采取必要的散热或改用更大封装以保证长期可靠性。若需进一步的钳位特性曲线、热阻数据或封装尺寸图，建议联系供应商获取完整数据手册与应用笔记以便进行详细设计验证。