MMBT3904 产品概述

MMBT3904 是一款通用小信号 NPN 晶体管，适用于开关与低功率放大场合。本型号由 CBI（创基）提供，SOT-23 封装，单只包装，适合表面贴装工艺与紧凑 PCB 布局。

一、主要参数

• 晶体管类型：NPN
• 集电极电流 (Ic)：200 mA
• 集—射极击穿电压 (Vceo)：40 V
• 耗散功率 (Pd)：200 mW（封装功耗限制）
• 直流电流增益 (hFE)：300 @ Ic=10 mA, Vce=1 V（高增益特性）
• 特征频率 (fT)：300 MHz（高频性能良好）
• 集电极截止电流 (Icbo)：100 nA（低泄漏）
• 集—射极饱和电压 VCE(sat)：约 300 mV @ Ic=50 mA, Ib=5 mA（低饱和压）
• 射极—基极击穿电压 (Vebo)：6 V
• 封装：SOT-23
• 数量：1 个（单管）

二、主要特性

• 高 hFE：在中小电流区具有较高放大倍数，便于简化偏置电路。
• 宽频响：fT 达 300 MHz，适合较高开关速率与射频前端小信号放大。
• 低漏电流：Icbo 仅 100 nA，有利于高阻输入或低静态电流电路的稳定性。
• 低饱和压：在开关应用中导通损耗小，提升效率。
• SOT-23 小封装：适合自动贴装、空间受限设计与大批量生产。

三、典型应用

• 通用开关：驱动小继电器、LED、光耦等低功率负载。
• 小信号放大器：前置或中频级放大、音频增益级。
• 高速脉冲电路：基于其较高 fT，用于脉冲驱动与数字接口缓冲。
• 电平转换与偏置电路：利用高 hFE 实现小电流放大与偏置稳态。

四、设计与使用要点

• 功率与热管理：单颗 Pd 为 200 mW，须在设计时注意封装与 PCB 的散热，避免长期在额定耗散附近工作。
• 电流与电压边界：工作电流不宜超过 200 mA，且 Vce 不超过 40 V；请为开关场合留足裕量。
• 基极保护：Vebo = 6 V，应避免将基—射极正向过压，必要时加限流或钳位元件。
• 偏置与稳定：高 hFE 易受温度与工艺差异影响，关键电路建议加负反馈或 emitter 偏置电阻以稳定工作点。
• PCB 布局：SOT-23 及高速特性提示应缩短走线、减小寄生电感与电容，必要时加减振或旁路电容。

五、封装与采购信息

• 品牌：CBI（创基）
• 封装形式：SOT-23（表面贴装）
• 描述类别：未分类（通用小信号晶体管）
• 单位包装：1 个/件（根据供应商可选多种卷带或管装规格）

总结：MMBT3904（CBI）是一款性能均衡的 NPN 小信号晶体管，适合需求中等电流、较高增益与较好频率响应的各类电子设计。设计时应重点考虑功耗、散热与基极保护，以保证长期可靠性。