型号:

SS8550

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOT-23
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
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SS8550 产品实物图片
SS8550 一小时发货
描述:三极管(BJT) 300mW 25V 1.5A PNP SOT-23
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.244
200+
0.0812
1500+
0.0507
产品参数
属性参数值
功率(Pd)300mW
商品分类三极管(BJT)
工作温度-55℃~+150℃
晶体管类型PNP
特征频率(fT)100MHz
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@100mA,1V
集射极击穿电压(Vceo)25V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@800mA,80mA
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极电流(Ic)1.5A

SS8550 产品概述

1. 产品简介

SS8550 是一款高性能的PNP型双极型晶体管 (BJT),适用于多种电子电路应用。这款晶体管由著名品牌 BORN(伯恩半导体)制造,采用 SOT-23 封装,规格保证了其在高温和高电流条件下的稳定性和可靠性。SS8550 的功率可达 300mW,集电极电流可达到 1.5A,适合大多数中低功率的放大和开关电路。

2. 关键参数

  • 功率 (Pd): 300mW
  • 集电极-发射极击穿电压 (Vceo): 25V,这意味着在工作条件下能够承受最大 25V 的集电极到发射极电压而不发生击穿。
  • 集电极电流 (Ic): 最大可达 1.5A,支持多种高功率应用。
  • 直流电流增益 (hFE): 在 100mA 的集电极电流和 1V 的集电极-发射极电压下,增益为 120,确保了良好的放大性能。
  • 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 在高达 800mA 的集电极电流和 80mA 的基极电流条件下,饱和电压为 500mV,适合低电压驱动场合。
  • 特征频率 (fT): 100MHz,适合高频应用。
  • 工作温度范围: -55℃至 +150℃,使其在不同的环境条件下都能正常工作。

3. 产品特点

SS8550 的设计专注于提供高效、经济的性能,特别是在开关和放大电路中表现突出。由于其 PN 接合结构,它在低噪声和信号放大方面极具优势。高增益特性和适中的饱和电压,使其成为各种数字电路、驱动电路及模拟电路的理想选择。

4. 应用领域

SS8550 广泛应用于:

  • 开关电路: 在电源管理、继电器驱动等应用中,SS8550 能够实现高效的开关控制。
  • 放大器电路: 由于其增益特性,SS8550 可用于音频放大器、传感器信号放大等场合。
  • 电机控制: 可用于小型电机驱动,帮助实现高效的电流控制。
  • 无线通讯: 在需要低噪声和高增益的无线通道信号处理中,SS8550 同样适用。

5. 封装与优势

SS8550 的 SOT-23 封装小巧紧凑,适合现代电子设备的微型化需求。该封装不仅保障了良好的散热性能,还便于批量生产与自动化贴片。SOT-23 封装的引脚设计简化了与电路的连接,对于设计师在电路板布线时提供了灵活性。

6. 结论

综合来看,SS8550 是一款功能强大的PNP型三极管,提供了优秀的电气性能和稳定性,适用于多种电子设计和工程应用。其出色的增益和频率特性使其在开关和放大应用中占有一席之地,是电子工程师进行电路设计时非常值得考虑的元器件。无论是对于新品开发还是在已有设计中的替换,SS8550 都能提供良好的成本效益和平衡性能。