BSC026N04LS 产品概述

一、简介

BSC026N04LS 是英飞凌（Infineon）生产的一款40V耐压、N沟道功率 MOSFET，封装为 TDSON-8 (5x6)。器件工作温度范围宽 (-55℃ ～ +150℃)，适用于高密度电源和开关场合，强调低导通损耗与较高电流能力。

二、关键参数

• 漏源电压 (Vdss)：40V
• 导通电阻 RDS(on)：3.6 mΩ @ Vgs=4.5V
• 连续漏极电流 Id：119 A（参考值，受散热条件影响）
• 耗散功率 Pd：63 W（热设计相关）
• 阈值电压 Vgs(th)：2 V @ 250 μA
• 总栅极电荷 Qg：45 nC @ Vgs=10 V
• 输入电容 Ciss：3.22 nF；输出电容 Coss：900 pF；反向传输电容 Crss：104 pF

三、性能要点与设计意义

• 低 RDS(on)（3.6 mΩ @4.5V）：在中低电压系统（如12V/24V）中可显著降低导通损耗，适合高电流路径（同步整流、二次侧开关）。
• 较高的 Id 与 Pd：在良好散热条件下可处理较大持续电流，但实际能承受的电流受 PCB 铜箔和散热结构限制。
• 较大 Qg（45 nC @10V）与较高 Ciss：开关时需要足够驱动能力，栅极驱动器需提供较大电流以达到快速切换，避免过多开关损耗。
• Crss（104 pF）影响米勒效应：在高 dv/dt 应用中需注意栅极耦合，适当选择栅阻或驱动策略以抑制振铃与误触发。

四、典型应用

• 同步整流 MOSFET（DC-DC 转换器）
• 车载电子（满足40V以内系统）
• 电机驱动的低压半桥/全桥开关
• 高密度电源模块与电池管理系统

五、布局与使用建议

• 栅极驱动：建议采用能够提供短时大电流的驱动器，匹配合适的栅阻（10–47 Ω 依据开关速度与振铃控制）。
• 热管理：尽量使用大面积铜箔、热过孔与底部散热垫，充分考虑 Pd 与实际结温，避免长期在高结温下工作。
• 布局：减小功率环路面积，优化源-漏回路的回流路径；栅极走线短且靠近驱动器，必要时使用 Kelvin 源端。
• 保护：在高 dv/dt 或回路感性较大时考虑 RC 吸收、TVS 或续流路径，防止瞬态过压。

六、选型结论

BSC026N04LS 以其低导通电阻与较高电流承载能力，适合需要低损耗与高效率的中低压开关场合。但因栅极电荷与输入电容较大，系统需匹配足够的驱动能力与良好热设计，方能发挥最佳性能。有关最大栅极电压、SOA 等详细约束，请以官方 Datasheet 为准。