型号:

SN74LVC1G0832DBVR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOT-23-6
批次:24+
包装:-
重量:0.057g
其他:
-
SN74LVC1G0832DBVR 产品实物图片
SN74LVC1G0832DBVR 一小时发货
描述:逻辑门 SN74LVC1G0832DBVR
库存数量
库存:
4647
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.808
3000+
0.749
产品参数
属性参数值
逻辑类型与门;或门
通道数1
工作电压1.65V~5.5V
静态电流(Iq)10uA
灌电流(IOL)32mA
拉电流(IOH)32mA
输入高电平(VIH)1.7V~5.5V;2V~5.5V
输入低电平(VIL)0V
输出高电平(VOH)3.8V;1.9V;2.4V;2.3V;1.2V
输出低电平(VOL)300mV;400mV;450mV;550mV
系列74LVC系列
传播延迟(tpd)5.9ns@3.3V,50pF
工作温度-40℃~+85℃
输入通道数3

SN74LVC1G0832DBVR 产品概述

一、产品简介

SN74LVC1G0832DBVR 是德州仪器(TI)74LVC 系列的单通道高速低压 CMOS 逻辑门器件,适用于空间受限的 SOT-23-6 封装。器件提供 3 个输入端口,可实现基本的逻辑运算(与门/或门类实现形式),工作电压范围宽(1.65V–5.5V),兼具低静态功耗与较强的输出驱动能力,是嵌入式系统、接口逻辑和电平兼容性设计中的常见选择。

二、主要性能参数

  • 逻辑类型:与门 / 或门(单通道,3 输入)
  • 通道数:1
  • 电源电压:1.65 V ~ 5.5 V(宽电压范围,支持多种电平系统)
  • 静态电流 Iq:典型 10 μA(低静态功耗,适合电池供电设备)
  • 输出驱动能力:IOL = 32 mA(下拉),IOH = 32 mA(上拉)
  • 输入阈值:
    • VIH:在不同工作点/等级下对应范围 1.7 V~5.5 V 或 2.0 V~5.5 V(具体以器件数据手册为准)
    • VIL:0 V(低电平输入下限)
  • 输出电平示例(随 VCC 和负载不同而变化):
    • VOH 示例值:可见 3.8 V、1.9 V、2.4 V、2.3 V、1.2 V 等(对应不同测试条件)
    • VOL 示例值:约 300 mV、400 mV、450 mV、550 mV(随负载变化)
  • 传播延迟 tpd:典型 5.9 ns(在 VCC = 3.3 V、CL = 50 pF 条件下)
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +85 ℃
  • 封装:SOT-23-6
  • 系列:74LVC

注:器件的 VOH、VOL、VIH、VIL 等具体值受 VCC、电流负载和温度影响,设计时请参照 TI 原厂数据手册中的表格和典型曲线进行选型与仿真。

三、典型应用场景

  • 逻辑信号整形与门控:用于将多个控制或状态信号合并为单一路径的逻辑控制信号
  • 电平兼容接口:由于支持最低 1.65 V 电源,适合不同电压域之间的简单逻辑连接
  • 嵌入式与便携设备:低静态电流适合电池供电场景
  • 通用数字前端:在小体积电路板上实现基本组合逻辑功能,替代离散门阵列以节约空间

四、实用设计要点

  • 去耦建议:在 VCC 与 GND 之间靠近封装放置 0.1 μF 陶瓷去耦电容,以抑制瞬态噪声并保证稳定工作。
  • 布局与散热:SOT-23-6 封装散热能力有限,高负载持续驱动时需关注 PCB 铜皮面积与环境温度,避免长期过热。
  • 输入保护:尽量避免超出器件电源范围的输入电压;若有可能出现高于 VCC 或低于 GND 的电平,建议加限流或钳位电路(例如串联阻抗或 TVS/二极管)。
  • 负载能力:器件能提供高达 ±32 mA 的瞬态驱动,但若多个输出并联或长期大电流负载,应评估功耗与温升。
  • 时序考虑:在高速设计中,依据数据手册中的传播延迟和上升/下降时间参数进行时序预算,必要时加缓冲或调整负载电容。

五、封装与采购

  • 封装型号:SOT-23-6(小尺寸,适合节省 PCB 空间)
  • 温度等级:-40 ℃ ~ +85 ℃,工业级可靠性
  • 品牌:TI(德州仪器) 如需替代或批量采购,建议以完整器件型号(SN74LVC1G0832DBVR)与 TI 数据手册为准,核对封装、管脚排列与具体电气参数后下单。

若需要,我可以基于您的具体工作电压与负载条件,给出更精确的 VOH/VOL 与时序估算,以及典型接线示意和 PCB 布局建议。