型号:

LMR1802G-LBTR

品牌:ROHM(罗姆)
封装:SSOP-5-1.6mm
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
LMR1802G-LBTR 产品实物图片
LMR1802G-LBTR 一小时发货
描述:运算放大器 LMR1802G-LBTR
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产品参数
属性参数值
放大器数单路
最大电源宽度(Vdd-Vss)5.5V
增益带宽积(GBP)3MHz
输入失调电压(Vos)5uV
输入失调电压温漂(Vos TC)400nV/℃
压摆率(SR)1.1V/us
输入偏置电流(Ib)0.5pA
输入失调电流(Ios)0.5pA
噪声密度(eN)2.9nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)105dB
静态电流(Iq)1.1mA
输出电流3.5mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源2.5V~5.5V
双电源(Vee~Vcc)1.25V~2.75V;-2.75V~-1.25V

LMR1802G-LBTR 产品概述

LMR1802G-LBTR 是 ROHM(罗姆)推出的一款单路低漂移、低噪声运算放大器,针对精密直流和低频信号放大场合进行了优化。器件在宽电源电压范围下工作、静态功耗低、输入偏置与失调电流极小,非常适合电池供电、传感器接口与高精度测量系统。

一、主要参数概览

  • 放大器数:单路
  • 最大电源宽度 (Vdd − Vss):5.5 V
  • 单电源工作电压:2.5 V ~ 5.5 V
  • 双电源工作电压(对称):±1.25 V ~ ±2.75 V
  • 增益带宽积 (GBP):3 MHz
  • 输入失调电压 (Vos):5 µV
  • 输入失调电压温漂 (Vos TC):400 nV/°C
  • 压摆率 (SR):1.1 V/µs
  • 输入偏置电流 (Ib):0.5 pA
  • 输入失调电流 (Ios):0.5 pA
  • 噪声密度 (eN):2.9 nV/√Hz @ 1 kHz
  • 共模抑制比 (CMRR):105 dB
  • 静态电流 (Iq):1.1 mA(典型)
  • 输出电流:3.5 mA(最大/典型工作能力)
  • 工作温度范围:−40 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:SSOP-5,1.6 mm 芯片尺寸(LBTR 封装)

二、性能亮点

  • 极低失调与温漂:5 µV 的输入失调与 400 nV/°C 的温漂,使得在高精度直流测量中可显著减少校准次数与温度引起的误差。
  • 超低偏置与失调电流:0.5 pA 级别的偏置与失调电流,适合高阻抗传感器或电荷放大器等对输入漏电极其敏感的应用。
  • 低噪声:在 1 kHz 处 2.9 nV/√Hz 的噪声密度,有利于保持高信噪比的模拟前端。
  • 低功耗与宽工作电压:1.1 mA 的静态消耗结合 2.5 V 起的单电源支持,适合便携式与电池供电系统。
  • 良好带宽与稳定性:3 MHz GBP 与 1.1 V/µs 的压摆率,可满足直流放大、低通与带通滤波以及缓冲应用的常见带宽需求。
  • 宽温度范围:−40 ℃ 至 +125 ℃,适合工业级环境。

三、典型应用场景

  • 精密传感器前端(温度、压力、应变计、光电探测等)
  • 数据采集与测量仪器的运算放大与缓冲
  • 低频滤波器与信号整形(主动滤波器、积分/微分电路)
  • 电池供电与便携设备中的差分检测与放大
  • 医疗仪器与高阻抗探头接口(需配合系统级安全与隔离设计)

四、设计与使用建议

  • 电源与布局:为发挥低噪声与低漂移特性,建议靠近器件的电源引脚放置旁路电容(例如 0.1 µF 与 1 µF 并联),并采用良好的地平面与短回路布线。
  • 输入保护:在高阻抗或可能存在瞬态电压的场合,应考虑输入限流或钳位电路以保护微小偏置电流的稳定性。
  • 布线与滤波:在低频精密应用中,避免将高电流开关或数字信号近靠模拟输入,必要时利用 RC 低通滤波降低高频干扰。
  • 工作点与负载:输出驱动能力约 3.5 mA,适合驱动高阻抗负载或作为驱动后级的缓冲。如需驱动较大电流,应加入外围功率器件。

五、封装与订购信息

  • 器件名称:LMR1802G-LBTR
  • 品牌:ROHM(罗姆)
  • 封装:SSOP-5,1.6 mm(小尺寸适合集成密度较高的 PCB 设计)
  • 推荐用于空间受限且需高精度模拟性能的产品设计中。

六、总结

LMR1802G-LBTR 是一颗面向精密测量与低频信号处理的单路运放,凭借极低的输入失调与温漂、极小的输入偏置电流以及低噪声特性,能够在工业与便携类高精度应用中显著提高系统测量精度并降低校准成本。其低功耗与宽电源范围使其在电池供电与多电源配置中具有良好适配性。选型时请根据输出驱动需求与系统输入阻抗做适当的外围设计与保护。