BC846B 产品概述

一、概述

BC846B 是一款小功率 NPN 双极型晶体管，适用于通用开关和低功率放大电路。该器件由 BORN（伯恩半导体）提供，采用 SOT-23 封装，具有集电极电流最大 100mA、集射极击穿电压 Vceo=65V 的电气能力，适合在中低功率、较高电压余量的场合使用。

二、主要特性

• 晶体管类型：NPN
• 最大集电极电流（Ic）：100mA
• 集射极击穿电压（Vceo）：65V
• 耗散功率（Pd）：200mW（SOT-23 封装，受 PCB 热阻影响显著）
• 直流电流增益（hFE）：约 200（在 Ic=2mA、Vce=5V 条件下）
• 特征频率（fT）：约 100MHz，适合小信号高频放大
• 集电极截止电流（Icbo）：约 100nA，漏电小
• 集电极饱和电压（VCE(sat)）：约 500mV（饱和时）
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 射基极击穿电压（Vebo）：6V

三、典型应用

BC846B 适合用于：

• 小信号放大器、前置放大和音频放大低功耗级
• 通用开关电路，如驱动 LED、继电器的前级（在电流和功耗限制内）
• 低电压逻辑接口电平转换和开漏/开集电极配置
• 高频小信号处理场合，利用其 ~100MHz 的增益带宽进行宽带放大

四、封装与热管理

器件采用 SOT-23 小型封装，便于表面贴装。但 Pd=200mW 表示在实际应用中热管理非常重要：

• 在无额外散热的 PCB 条件下，靠近热源或缺少铜箔会降低允许的集电极电流。
• 设计时应增大焊盘铜面积或使用散热扩展地，避免长时间在高 Ic 下工作。
• 注意在高环境温度下器件耗散能力下降，应留有裕量。

五、使用注意事项

• 在做开关应用时，应保证基极驱动足够，避免长时间处于中间放大区以减少功耗。
• VCE(sat)≈500mV 在高电流条件下会造成明显功耗，需评估发热与热稳定性。
• Vebo=6V，禁止在基极-发射极之间施加过高反向电压以免损坏。
• 对于高增益应用，注意在不同工作点 hFE 会随 Ic、温度变化，设计时应留裕量。

六、选型建议与替代

BC846B 以其高 hFE 与较高 Vceo 适合通用小信号应用。若需更高功耗能力或更低 VCE(sat)，可考虑封装更大或专用低饱和晶体管；若需要更高频率或更低漏电，可选用特征频率更高或低 Icbo 的型号。在最终选型时，请参考器件完整数据表并结合 PCB 布局与散热条件进行验证。

备注：以上参数基于器件典型规格，设计使用前请参考 BORN 正式数据手册以获取完整的典型值、极限值与测试条件。