型号:

BAT46WS

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOD-323
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BAT46WS 产品实物图片
BAT46WS 一小时发货
描述:肖特基二极管 1V@250mA 100V 5uA@75V 75mA
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0694
3000+
0.0551
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)1V@250mA
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流75mA
反向电流(Ir)5uA@75V
工作结温范围-40℃~+125℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)750mA

BAT46WS(BORN 伯恩半导体)肖特基二极管——产品概述

一、产品简介

BAT46WS 为 BORN(伯恩半导体)推出的小功率肖特基整流二极管,封装为 SOD-323,面向空间受限、低损耗、高速整流场景。凭借肖特基势垒特性,器件具有较低的正向压降与极快的开关响应,适合便携设备、接口保护与高频整流等应用。

二、主要电气参数

  • 正向压降(Vf):1.0 V @ 250 mA(测试条件标注)
  • 直流反向耐压(Vr):100 V(最大额定)
  • 连续整流电流(Io):75 mA(典型/额定)
  • 反向电流(Ir):5 μA @ 75 V
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):750 mA(单次脉冲)
  • 工作结温范围:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:SOD-323(表面贴装)

以上参数为典型/额定规范,应结合具体工作环境与PCB散热条件进行合理评估与降额设计。

三、性能特点

  • 低正向压降:在中等电流下(如数百毫安级)仍保持较低的压降,有助于降低功耗与发热。
  • 低反向漏电:在高反向电压(75 V)下漏电流仅约 5 μA,利于高阻态与休眠电路的低功耗设计。
  • 快速恢复:肖特基结构本身无反向恢复问题,适合高频开关与整流使用。
  • 小型封装:SOD-323 适用于密集贴片设计,便于空间受限的终端设备布局。

四、典型应用场景

  • 便携式电源与电池管理:反向保护、低压降整流与电源切换。
  • 接口与信号保护:高频信号路径的快速钳位、浪涌抑制和反接保护。
  • 高频整流与混合信号电路:充电回路、检测电路与快速开关整流应用。
  • 工业与通信终端:需要 100 V 级反向耐压且漏电要求低的场合。

五、封装与热管理

SOD-323 封装体积小,适合表面贴装工艺,但热阻相对较高。连续 75 mA 的整流能力在良好 PCB 散热条件下可实现;在长时间高电流工作时,建议:

  • 增大焊盘铜箔面积以降低结-环境热阻;
  • 在高温环境或靠近热源的布局中进行电流降额;
  • 留意 Ifsm 指定为非重复峰值浪涌电流,不可作为长期脉冲或反复冲击使用依据。

六、使用建议与注意事项

  • 鉴于 Vf 在 250 mA 时取值为 1 V,设计中应考虑器件在额定或过载电流下的发热,必要时加热管理措施或降低工作电流。
  • 反向耐压为 100 V,但反向击穿或浪涌可能引发异常,推荐在可能出现高压尖峰的电路中配合 TVS 或限流设计。
  • 焊接与回流:遵循 SMD 回流温度规范,避免超过器件允许的焊接温度峰值并做好防潮处理。
  • 储存与防潮:若器件为湿敏等级(MSL)级别,请按照厂商建议进行干燥与回流前处理。

七、选型参考与替代

在需更大电流或更低正向压降的场合,可考虑更大封装或功率等级的肖特基器件;若工作电压低于 100 V,可选用典型 BAT 系列低压型号以获得更优压降表现。选型时优先核对关键参数:Vr、Io、Vf(在目标工作电流下)、Ir 以及封装热阻。

总结:BAT46WS (BORN) 在 SOD-323 小型封装中提供了 100 V 反向耐压、75 mA 连续整流能力与低漏电特性,适合对体积、开关速度与低功耗有要求的应用场合。合理的 PCB 散热与电流降额设计能显著提升器件的长期可靠性。