型号:

BAT46W

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOD-123
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BAT46W 产品实物图片
BAT46W 一小时发货
描述:肖特基二极管 1V@250mA 100V 500nA@1.5V 75mA
库存数量
库存:
2313
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0642
3000+
0.051
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)1V@250mA
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流75mA
反向电流(Ir)500nA@1.5V
工作结温范围-40℃~+125℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)750mA

BAT46W 产品概述

一、产品简介

BAT46W 是 BORN(伯恩半导体)推出的一款肖特基二极管,封装为 SOD‑123,面向小功率、高速整流与保护应用。其典型参数包括:正向压降 Vf = 1.0 V(在 If = 250 mA 时),直流反向耐压 Vr = 100 V,整流电流(平均)75 mA,反向电流 Ir = 500 nA(在 Vr=1.5 V 时),非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 750 mA,工作结温范围 -40 ℃ 至 +125 ℃。这类器件以低正向压降与快速恢复特性著称,适合对效率和切换速度有要求的电路。

二、关键电气特性解读

  • 正向压降:1.0 V @ 250 mA。相较于典型硅开关二极管,肖特基在低电压、大电流条件下有更低的压降,但此器件在250 mA时仍约1V,适用于中小电流应用。
  • 反向耐压:100 V。高于常见低压肖特基(如30–60 V),可用于较高工作电压的整流与保护场合。
  • 漏电流:500 nA @ 1.5 V。漏电流较小,有利于低功耗与高阻抗节点的使用。
  • 平均整流电流:75 mA;峰值冲击电流:750 mA(非重复)。适合长期小电流工作并可承受短时浪涌,但不适合持续大电流应用。

三、封装与热管理

SOD‑123 为小体积表面贴装封装,适合空间受限的消费电子与便携设备。由于器件平均功耗随正向电流与压降线性增加(例如 75 mA × 1.0 V ≈ 75 mW),在 PCB 设计时应注意散热路径:尽量采用合理的焊盘面积与过孔扩散热量,避免长期在高环境温度下接近结温上限。在高占空比或高环境温下请按照厂商的结温与功耗降额曲线进行设计。

四、典型应用场景

  • 低电压电源整流与二次侧保护(当电流在器件允许范围内)。
  • 反向极性保护与电源 ORing(多数低功耗便携设备)。
  • 快速开关、钳位与浪涌抑制电路。
  • 信号检测与混合信号路径中的低漏电防护。

五、使用与选型建议

  • 确认工作电压:若系统工作电压接近或超过 100 V,应另选更高 Vr 的器件。
  • 检查平均电流与峰值浪涌:长期负载应 ≤75 mA,若存在频繁冲击电流或连续高电流需求,请选用更大功率或并联多只(需注意均流与热管理)。
  • 留意正向压降与功耗:在低压系统(例如 3.3 V)中,1.0 V 的压降可能影响效率或电压裕量,必要时考虑更低 Vf 的肖特基或使用同步整流。
  • 环境与温度:若长期在高温环境工作,应考虑温漂对 Vf 与 Ir 的影响,适当降额。

六、PCB 布局与焊接注意事项

  • 焊盘设计应参考 SOD‑123 标准推荐尺寸,保证良好热传导与可靠焊接。
  • 焊接温度与回流曲线应符合元件规范,避免过热导致性能退化。
  • 对于敏感电路,器件附近可增加旁路电容或 RC 抑制网络以减少寄生震荡。

七、对比与替代

与标准硅开关二极管相比,BAT46W 的优点为更快的开关速度与较低正向压降(在同条件下)。与低压肖特基(如 BAT54 系列)相比,其 Vr 明显更高(100 V),适用于更高电压场景;但若追求更低 Vf 或更高持续电流,应考虑其他型号或更大封装。

八、可靠性与浪涌管理

非重复峰值浪涌电流 750 mA 表明器件能承受短时浪涌(例如开路负载的突发冲击),但不建议作为长期过载方案。设计中应加入限流或浪涌抑制元件(保险丝、NTC、TVS等)以延长可靠性与降低失效率。

总结:BAT46W(BORN,SOD‑123)是一款面向中小电流、要求较高反压的肖特基二极管,适合用于便携设备、保护电路与高速整流场合。选型时应综合正向压降、工作电流、反向耐压与热管理需求,确保长期可靠运行。若需更详细的脚位封装图或结温-功率降额曲线,请参照厂商数据手册。