IRLML6401 产品概述

一、产品简介

IRLML6401 为一颗单个 P 沟道功率场效应管（MOSFET），由 BORN（伯恩半导体）供应，封装为 SOT-23-3L。器件适用于低电压功率开关与电源管理场合，额定漏源电压为 12V，连续漏极电流 4.3A，单件供货（数量：1）。

二、主要参数

• 漏源电压 Vdss：12V
• 连续漏极电流 Id：4.3A
• 导通电阻 RDS(on)：85mΩ @ Vgs=2.5V、Id=2.5A；在更高驱动电压下可降至约 50mΩ @ Vgs=4.5V、Id=4.3A（与资料描述值一致，实际以器件数据表为准）
• 耗散功率 Pd：1.3W（在规定散热条件下）
• 阈值电压 Vgs(th)：约 400mV（典型，指极小导通电流时的阈值）
• 输入电容 Ciss：830pF @ 10V
• 反向传输电容 Crss：125pF @ 10V
• 工作温度范围：-55℃ ～ +150℃
• 封装：SOT-23-3L

三、特性与优势

• 低电阻导通，在适当栅极驱动下（更大 Vgs 幅值）可获得更低的 RDS(on)，有利于降低导通损耗。
• 小型 SOT-23 封装，便于空间受限的 PCB 布局与表面贴装生产。
• 中等输入电容（Ciss）在高速开关与驱动功耗之间取得平衡，适合多数电源管理与负载开关应用。
• 宽温度范围，可靠性好，适用于消费电子与工业级应用。

四、典型应用

• 电池供电设备的高端（高侧）负载开关与电源切换
• 电源通断与功率路径管理（例如便携设备、物联网节点）
• 反向电流保护与电源保护电路
• 低压 LED 驱动、模拟开关与电平转换场合

五、封装与热管理建议

SOT-23-3L 的热阻和器件 Pd（1.3W）决定了该器件在高电流、高占空比或高环境温度下需注意散热：

• 在 PCB 设计上建议加宽铜箔、增大顶层/底层散热区域并使用过孔连接散热层；
• 对于连续大电流应用，应考虑功耗估算与热降额；
• 通过合理的封装布局与散热设计，可保证器件在工作温度范围内稳定运行。

六、选型与使用注意

• RDS(on) 随 Vgs 变化显著，实际应用中应以实际栅极驱动电压选择工作点；阈值电压仅表示微小导通起始值，不代表开关完全导通时的门槛。
• Ciss/Crss 对开关速度与驱动能耗有直接影响，快速开关时可配合栅极电阻以抑制振铃与过冲。
• 遵循器件数据表中的最大额定值（尤其是最大 Vgs、最大功耗和热阻）以避免损伤器件。
• 在实际设计前建议参考完整数据手册并在样机上验证功耗、温升与开关性能。

七、采购与技术支持

器件型号：IRLML6401，品牌：BORN（伯恩半导体），封装：SOT-23-3L，单件采购（数量：1）。如需用于关键应用，请索取并参照厂家完整数据手册、封装图与应用说明，或联系供应商获取最新规格与样片支持。