RB751V-40 产品概述

一、器件概况

RB751V-40 为 BORN（伯恩半导体）出品的一款小型肖特基二极管，采用 SOD-323 封装，面向低电压、低电流的整流与保护应用。器件以低正向压降和微小反向漏电流为主要特点，适合便携、低功耗电路中的开关整流与反向保护场景。

二、主要电气参数

• 正向压降 (Vf)：370 mV @ IF = 1 mA
• 直流反向耐压 (Vr)：30 V
• 额定整流电流：30 mA（DC）
• 反向电流 (Ir)：500 nA @ Vr = 30 V
• 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：200 mA
• 封装：SOD-323

三、性能特点

• 低正向压降：在小电流工作点（1 mA）下 Vf 仅 0.37 V，有利于降低功耗并改善低压差整流效率。
• 低漏电流：在额定反向电压下 Ir 约 500 nA，适合对静态电流敏感的电池供电设备。
• 小型封装：SOD-323 占板面积小，利于高密度 PCB 布局与便携产品体积优化。
• 肖特基特性：恢复时间快，适合高频开关场合，且在逆向保护、钳位应用中响应迅速。

四、典型应用

• 低压降整流：便携式充电器、USB 电源线路末级整流。
• 反向电源保护：电源熔断旁路与反接保护电路。
• 电压钳位与浪涌抑制：输入端过压钳位与瞬态抑制（需配合限流）。
• 小电流检测与信号整形：在感测与接口电路中作为保护或整流元件。

五、布局与使用建议

• 布线：尽量缩短二极管引线与相关电源轨的连线，降低串联电阻与感性元件。
• 散热：SOD-323 封装散热能力有限，长时间接近额定整流电流时需考虑降额或改善基板散热。
• 焊接：按厂商推荐的回流焊工艺进行，避免过高峰值温度或过长热冲击以保证可靠性。
• 环境可靠性：在高温或高湿环境下，注意反向漏电随温度上升而增加，应在设计中留出裕量。

六、采购与替代

RB751V-40（BORN）适合对体积与静态功耗有较高要求的设计场景。采购时确认批次与封装标识，并与电路实际工作电流、峰值浪涌要求匹配。如需更高电压或更大电流能力，可考虑封装与参数更高的肖特基型号；若追求更低 Vf，可在同类产品中比较不同制造商的典型 Vf 曲线以选择最优方案。

总结：RB751V-40 是一款面向小电流、低压差场合的经济型肖特基二极管，具有低 Vf、低漏电和小型封装的平衡特性，适用于便携式电源和保护类电路。