XB385M3-1.2 产品概述

XB385M3-1.2 是信路达（XINLUDA）推出的一款固定输出电压基准芯片，标准输出电压为 1.235V，采用 SOT-23-3 小封装，面向对体积、成本和稳定性有要求的精密测量与控制场景。该器件为并联（shunt）型电压基准，具有低噪声和宽温度工作范围，适合用作 ADC/DAC 基准、比较器基准、电压监测等应用。

一、主要特性

• 固定输出电压：1.235V（无需外部调整）
• 精度：±1%（出厂基准精度，具体应用中可能受温漂、负载等影响）
• 基准类型：并联（shunt）型电压基准
• 噪声（10Hz–10kHz）：60 μVrms，适合需要低噪声基准的精密采样前端
• 工作温度范围：-40 ℃ 至 +85 ℃（工业级）
• 封装：SOT-23-3，便于小尺寸 PCB 布局与自动贴装
• 品牌：XINLUDA（信路达）

二、典型应用

• 精密 ADC/DAC 的参考电压源
• 传感器数据采集系统（如温度、压力、重量测量）
• 精密比较器和阈值检测电路
• 便携式测量设备与电池供电系统（需注意并联型恒流消耗）
• 精密电压监测与校准电路

三、并联型（shunt）基准的使用要点

并联型电压基准在使用上与串联（series）参考有明显不同，应注意以下几点：

• 供电方式：并联型器件通过在电源与基准之间串联一个限流电阻来提供偏置电流，器件在工作时会“抽走”一定直流电流以维持基准电压。
• 电阻计算：限流电阻 R 的选择按照 R = (Vin - Vref) / Ibias 来计算，其中 Ibias 要满足器件稳压所需的最小偏置电流与负载电流之和。举例：若 Vin = 5V，Vref = 1.235V，目标偏置电流取 1 mA，则 R ≈ (5 - 1.235) / 1 mA ≈ 3.76 kΩ（此为示例，实际偏置电流应参照器件数据手册与应用要求）。
• 负载限制：若从基准点取电源给下游电路供电，会降低流经基准芯片的抽取电流，从而影响稳压精度。并联基准更适合作为参比点输出给高阻抗输入（如 ADC 的参考脚），避免大电流负载。
• 功耗与发热：在高 Vin 或较大偏置电流下，基准及限流电阻上会产生功耗，需注意温升与封装热阻限制，避免超出器件最大功耗。具体最大功耗/最大工作电流请参见数据手册。
• 去耦与滤波：在基准输出端并接一个高质量的去耦电容（如 0.01–1 μF 陶瓷）有助于降低噪声和瞬态响应；但某些并联基准对负载电容敏感，建议按厂商建议选择电容值与 ESR，必要时在封装邻近位置放置小值低 ESL 陶瓷电容以减少高频噪声。

四、布局与机械注意事项

• 尽量将基准芯片放置在 ADC 或测量电路附近，缩短基准线长度，减少干扰引入。
• 使用固体地平面并为基准器件附近布置短、粗的地线，避免大功率开关或数字回路的地电流经由基准地回流。
• SOT-23-3 封装利于空间受限场合，但散热能力有限。在高偏置电流或高 Vin 条件下注意器件温度，必要时加大铜箔散热面积。

五、选型建议与对比

• 若应用为低功耗电池供电设备且对能耗极其敏感，建议评估串联（低压差）参考或低功耗系列基准，因为并联基准需持续耗流维持稳压。
• 若需要在多种输入电压下保持稳定参考且系统允许一定静态耗流，并联基准结构简单、成本低，适合精密采样参考和基线校准场合。
• 在选型时应重点核查数据手册中的温漂（ppm/°C）、动态电阻、最大工作电流、最大功耗、瞬态响应与输出电容稳定性等参数，以确保在目标工况下满足系统精度与可靠性要求。

总结：XB385M3-1.2 为一款性能平衡、体积小巧的 1.235V 并联低噪声电压基准，适用于多种精密测量与控制系统。最终电路设计请结合完整数据手册中的电气参数、热限值和典型应用电路进行校核与验证。