CJU10N10 产品概述

一、产品简介

CJU10N10 是江苏长电/长晶（CJ）出品的一款单颗 N 沟增强型功率 MOSFET，额定漏源电压 100V，适合中低功率开关和功率管理场景。封装为 TO-252-2L（常见 DPAK 贴片封装），便于 PCB 安装与散热设计。

二、主要参数

• 类型：N 沟 MOSFET（单颗）
• Vdss：100V
• 连续漏极电流 Id：9.6A
• 导通电阻 RDS(on)：140mΩ @ Vgs=10V
• 栅极阈值 Vgs(th)：2.5V @ 250μA
• 总栅极电荷 Qg：15.5nC @ Vgs=10V
• 输入电容 Ciss：690pF；输出电容 Coss：120pF；反向传输电容 Crss：90pF @ 25V
• 工作结温范围：-55℃~+150℃
• 封装：TO-252-2L（DPAK）
• 品牌：CJ（江苏长电/长晶）

三、关键特性与优势

• 100V 耐压能应对多数开关电源与电机驱动中的中高压侧应用。
• 140mΩ 的 RDS(on) 在 10V 驱动下有较低的导通损耗，适合对效率有要求的应用场合。
• 中等的栅极电荷（15.5nC）在开关速度与驱动功耗之间取得平衡，适配常见驱动器或 MCU 外接驱动电路。
• DPAK 封装易于表面贴装，便于大规模生产与 PCB 散热设计。

四、典型应用场景

• 开关电源（反激、正激、降压/升压拓扑）
• 电机驱动与驱动桥臂（中小功率）
• 负载开关、继电器替代与保护电路
• 通用功率管理与工业控制

五、选型与使用建议

• 若以 10V 驱动栅极可获得标称 RDS(on)；若仅有 5V 或逻辑电平驱动，导通电阻会显著上升，应评估导通损耗。
• 开关应用中，应关注 Qg 和 Crss 带来的驱动能耗与续流反冲，必要时在栅极串接合适阻值，或增加钳位/缓冲元件减少振荡。
• 对感性负载建议并联 TVS 或 RC 吸收电路，保护器件免受瞬态过压冲击。
• DPAK 需通过合理 PCB 铜箔和散热过孔来降低结温，保证长期可靠性。

六、封装与热管理

TO-252-2L（DPAK）便于贴片生产，但散热依赖 PCB 设计。建议在器件下方与散热引脚处布置大面积铜箔和多层过孔，必要时评估外加散热片或降低工作电流以满足结温限制。