型号:

BAV99S

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOT-363
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BAV99S 产品实物图片
BAV99S 一小时发货
描述:开关二极管 75V 150mA
库存数量
库存:
2554
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.12
3000+
0.106
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)75V
整流电流150mA
耗散功率(Pd)200mW
反向电流(Ir)1uA
反向恢复时间(Trr)6ns
工作结温范围-40℃~+150℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)2.5A

BAV99S 产品概述

一、产品简介

BAV99S(BORN 伯恩半导体)是一款高反压、小体积的开关二极管,采用SOT-363微小封装,针对高速开关与信号整流场合优化。器件工作结温范围宽 (-40℃ ~ +150℃),具备较低的反向漏电与快速的恢复特性,适合空间受限的消费电子、通信与工业控制电路。

二、主要参数

  • 工作结温:-40℃ ~ +150℃
  • 正向压降(Vf):1.25V @ 150mA
  • 直流正向电流(If):150mA
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):2.5A
  • 直流反向耐压(Vr):75V
  • 反向电流(Ir):≈1μA(室温典型)
  • 反向恢复时间(Trr):6ns
  • 耗散功率(Pd):200mW
  • 封装:SOT-363

三、关键特性与优势

  1. 宽温度范围与高可靠性:可在-40℃至+150℃环境下稳定工作,适用于严苛环境。
  2. 高反压能力:75V的反向耐压满足多数中等电压系统的反向保护需求。
  3. 快速开关:6ns的反向恢复时间利于高速信号切换,降低反向交越损耗和开关噪声。
  4. 紧凑封装:SOT-363体积小,便于高密度PCB布局,适合便携设备与多通道设计。
  5. 耐冲击能力:2.5A非重复浪涌能力可承受短时突发脉冲,增强抗瞬态能力。

四、典型应用场景

  • 高频开关与混合集成电路的信号整流、钳位与电平移位
  • 接口保护与反向保护电路
  • 通信设备、调制解调器、射频前端的快速切换路径
  • 小功率电源二次整流和斯特林式保护电路
  • 多通道探测器、传感器前端的低漏电需求场合

五、封装、布局与热管理建议

  • SOT-363尺寸虽小,但Pd仅200mW,设计时应估算实际结温并做功率降额。建议在25℃基准下进行热裕量评估,高温环境下应降低平均正向电流以避免过热。
  • PCB布局应保证良好散热和短回流路径。增加焊盘铜箔面积和热孔(如果工艺允许)可改善热阻。
  • 对于并联或多通道设计,注意均流与分流问题;避免长期接近最大允许If运行,推荐在额定值下留有裕量。

六、使用注意事项与可靠性建议

  • 正向压降在高电流下上升明显(1.25V @150mA),若应用对电压损耗敏感,应评估功耗与热升。
  • 反向漏流随温度上升而增加,在高温工况需重点关注漏电引起的静态损耗。
  • 虽具浪涌承受能力,仍建议在脉冲或感性负载场合配合限流或缓冲电路,避免重复极限冲击。
  • 焊接工艺遵循器件供应商推荐的温度曲线,避免超温引起器件性能退化。

七、结论与推荐

BAV99S 是一款面向高速开关与中等电压保护场景的紧凑型二极管,兼顾高反压、低漏电和快速恢复特性。适用于空间受限且需高速响应的电路。设计时应重视热管理与功耗降额,以确保长期可靠运行。对于需要更高功率或更低正向压降的场合,可考虑更大封装或专用整流/肖特基器件替代。