型号:

SMBJ5.0A-E3/5B

品牌:VISHAY(威世)
封装:SMB(DO-214AA)
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SMBJ5.0A-E3/5B 产品实物图片
SMBJ5.0A-E3/5B 一小时发货
描述:Diode: TVS; 600W; 6735mV; 65.2A; unidirectional; SMB;
库存数量
库存:
2263
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3200
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.405
3200+
0.379
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压9.2V
峰值脉冲电流(Ipp)65.2A
峰值脉冲功率(Ppp)600W
击穿电压6.4V
反向电流(Ir)800uA
工作温度-55℃~+150℃
类型TVS

SMBJ5.0A-E3/5B 产品概述

一、产品简介

SMBJ5.0A-E3/5B 是 VISHAY(威世)提供的一款单向 TVS(二极管瞬态电压抑制器),采用 SMB(DO-214AA)封装,专为抑制瞬态浪涌和电压尖峰设计。该器件针对 5V 工作电源和信号线的浪涌保护进行了优化,能够在工业、通信和汽车等复杂电磁环境下提供高能量吸收能力与宽温度工作范围(-55℃~+150℃)。

二、关键参数与电气特性

  • 极性:单向(正向钳位正向瞬态,反向为截止)
  • 反向截止电压 Vrwm(稳态工作电压):5V
  • 击穿电压(Vbr):6.4V(典型)
  • 钳位电压 Vc(在 Ipp 峰值时):9.2V
  • 峰值脉冲电流 Ipp(IEC 61000-4-5 类脉冲条件下):65.2A
  • 峰值脉冲功率 Ppp:600W(10/1000 μs 波形或按厂商定义的测试条件)
  • 反向漏电流 Ir(在 Vrwm):800 μA(typ/max,设计时需考虑)
  • 工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  • 封装:SMB (DO-214AA),适合表面贴装工艺

简单计算说明:在 Ipp=65.2A、钳位电压 9.2V 情况下的瞬态吸收功率约为 9.2V × 65.2A ≈ 600W;钳位时的近似动态阻抗可由 (Vclamp − Vbr)/Ipp 估算,约为 (9.2 − 6.4)V / 65.2A ≈ 0.043 Ω。

三、主要特点与优势

  • 高能量吸收:600W 峰值脉冲功率与 65.2A 峰值脉冲电流,能有效吸收较大幅度的瞬态浪涌。
  • 5V 系统保护匹配:5V Vrwm 使其非常适合保护 USB、通信接口、嵌入式供电总线及其他 5V 设备。
  • 宽温度范围:-55℃ 至 +150℃ 的环境适应能力,适用于工业级与高温环境应用。
  • SMB 封装:SMB(DO-214AA)提供良好的功率散热和可靠性,便于自动化贴装和批量生产。
  • 单向结构:在多数直流电源和信号保护场合,单向 TVS 提供更低钳位电压与更直接的正向保护路径。

四、典型应用场景

  • 5V 电源线、板级电源入口浪涌保护
  • USB、以太网、串口等数据/信号接口的输入保护(需注意接口为单端/共地结构时更为合适)
  • 工业控制设备、电源转换模块与通信基站的浪涌防护
  • 要求宽温度与高可靠性的嵌入式系统与车载电子(使用前请核实器件是否满足所需的车规认证)

五、选型与使用建议

  • 漏电流考虑:在待机或低功耗系统中,800 μA 的反向漏电流可能影响整体功耗,选择时需评估系统功耗预算。
  • 封装与布局:将 TVS 尽量靠近被保护的输入端或芯片引脚布置,使用尽可能短的引线/走线以降低寄生电感,从而提高抑制效果。
  • 极性连接:单向器件需将阳极接地(或系统参考地),阴极接被保护的电源/信号线,以便对正向过压进行钳位。
  • 热与功率裕量:考虑到瞬态能量可能多次发生或叠加,应参考厂商的能量吸收能力和温度升高曲线,必要时配合串联阻抗或熔断器增加保护鲁棒性。
  • 查询完整资料:在最终设计前,请查阅 VISHAY 官方完整数据手册,确认 10/1000 μs 或 8/20 μs 等测试波形条件、典型电容、热阻以及封装尺寸与焊接工艺建议。

六、结论

SMBJ5.0A-E3/5B 是一款针对 5V 系统设计的高能量单向 TVS,具备 600W 峰值抑制能力、较低钳位电压和宽工作温度范围。适合需要可靠浪涌保护的工业与通信类应用,但在低功耗场合需注意其漏电流特性。最终选型与布局应结合系统的瞬态能量、散热条件和认证需求,并以厂商完整数据为准。