4953产品概述

一、产品简介

4953为Hottech（合科泰）出品的双通道P沟道场效应管，封装为SO-8。每通道额定漏-源电压30V，连续漏极电流可达5.1A，适合中低压、高集成度的电源与开关场合。器件在设计上兼顾了低导通损耗与较小的开关电荷，便于提高系统效率与降低EMI。

二、主要特性

• 双通道P沟道MOSFET，SO-8小型封装，节省PCB空间。
• 漏源电压(Vdss)：30V；连续漏极电流(Id)：5.1A。
• 典型导通电阻(RDS(on))：55mΩ（标称测试条件为Vgs=10V）。
• 阈值电压(Vgs(th))：1.1V（典型值）。
• 总栅极电荷(Qg)：11nC（@10V），便于门极驱动设计。
• 输入电容(Ciss)：520pF，反向传输电容(Crss)：70pF（@15V）。
• 功耗(Pd)：2.5W，工作温度范围：-55℃至+150℃。

三、应用场景

适用于便携式设备电源管理、负载高侧开关、逆接保护、LED驱动、双路电源切换及轻中功率DC-DC拓扑。双通道设计特别适合需要两路对称高侧控制或配合双相管理的电路。

四、使用建议

• 作为P沟道器件常用于高侧开关，栅极需拉低以导通；注意栅源电压极性与绝对最大额定值。
• 依据Pd和实际工作电流，合理设计散热铜箔与热过孔，必要时增加散热板或提升PCB铜厚。
• 为抑制开关振铃与降低EMI，建议在门极串联小电阻并在电源侧增加退耦电容与吸收元件。
• 布局时保证漏、源、栅走线尽量短且宽，电源和地回流路径应低阻低感。

五、可靠性与选型提示

SO-8封装便于自动贴片与大批量生产，双通道集成能简化外部元件与布线。选型时关注实际驱动电压与开通时的RDS(on)条件，评估QG与Ciss对驱动器的要求，确认热性能满足长时间负载工况。总体而言，4953适合追求体积小、效率中等且要求双路高侧控制的应用场景。