SI2306

SI2306 产品概述

概述

SI2306是一款高性能N沟道场效应管（MOSFET），采用SOT-23封装设计，主要用于低功耗和小型电子设备中。凭借其出色的电气性能和宽广的工作温度范围，该器件不仅为消费者电子产品提供了理想的开关解决方案，还可适应更苛刻的应用需求。

基本参数

• 功率（Pd）: 750mW
• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 连续漏极电流（Id）: 4A
• 导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）: 47mΩ@10V, 3.5A
• 反向传输电容（Crss@Vds）: 29pF@10V
• 输入电容（Ciss@Vds）: 305pF@10V
• 阈值电压（Vgs(th)@Id）: 1V@250μA
• 栅极电荷（Qg@Vgs）: 60nC@4.5V
• 工作温度范围: -55℃ ~ +150℃

应用场景

SI2306适用于各类需要高效率、低功耗的开关电源解决方案，如：

1. DC-DC变换器：在这些电路中，MOSFET被用作开关以实现高效能量转换。
2. 电池管理系统：可以用于电池的充电和放电路径控制，确保安全和高效运行。
3. 小型电动工具和家用电器：能够在这些设备中有效管理功率和提高效率。
4. 计算机与外围设备：在这些设备中，SI2306为电源管理和信号开关提供了解决方案。
5. 汽车电子：作为现代汽车中广泛应用的电子元件，提供可靠的电源开关。

性能优势

• 高导通能力：47mΩ的低导通电阻使得SI2306在负载工作时产生的热量极少，提升了整体能效。
• 高压耐受：30V的漏源电压能力使得SI2306能够在多种高压应用场景下使用，且不会发生击穿现象。
• 极低的阈值电压：1V的阈值电压使得其在低电压驱动下即可正常工作，为低电压应用提供了极大的灵活性。
• 小型封装：SOT-23封装使其在体积上相对小巧，适合于高度集成的电路设计，尤其是在移动设备中。

热性能

SI2306被设计用于宽广的工作温度范围，适合严酷环境条件下的使用。其-55℃到+150℃的工作温度范围保证了在不同环境下都能保持稳定工作，防止因温度过高或过低而导致的电气性能变化。

结论

综上所述，SI2306是一款高效、可靠的N沟道MOSFET，它的优越性能和多样的应用使其成为各种现代电子设备中不可或缺的组成部分。凭借合科泰品牌的技术背景，SI2306证明了其在确保效率和可靠性的同时满足多种电子产品的需求。无论是电源管理、信号开关还是小型电子模块，SI2306都能够胜任。这使得它不仅适合普通消费者电子产品，也能够在更高要求的应用中展现其卓越的性能。