型号:

2N7002

品牌:UMW(友台半导体)
封装:SOT-23
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
-
2N7002 产品实物图片
2N7002 一小时发货
描述:表面贴装型 N 通道 60 V 115mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23
库存数量
库存:
3000
(起订量: 20, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.315
200+
0.105
1500+
0.0658
3000+
0.0522
产品参数
属性参数值
功率(Pd)225mW
反向传输电容(Crss@Vds)5pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7Ω@5V,50mA
工作温度-55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)60V
输入电容(Ciss@Vds)50pF@25V
连续漏极电流(Id)115mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA

2N7002 产品概述

一、基本介绍

2N7002是一款高性能的N通道MOSFET(场效应管),其主要应用于低功耗电路和开关电源等场景。其电气特性符合现代电子设备对功率、效率及工作的严苛要求。2N7002的主要参数包括最大漏源电压60V、连续漏极电流115mA,以及功率耗散225mW。该型号MOSFET采用SOT-23封装,适合表面贴装技术(SMT),是很多小型电子产品设计的理想选择。

二、主要参数

  • 功率(Pd):225mW,为设计人员提供了灵活的功率处理能力,尤其在小型和便携设备中,这一参数至关重要。
  • 反向传输电容(Crss@Vds):在25V时为5pF,意味着它在高频切换应用中具有出色的性能,降低了信号损失与延迟。
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):在5V和50mA条件下,RDS(on)为7Ω,表明该MOSFET在工作时表现出较低的导通损耗,提高了整体电路的效率。
  • 工作温度范围:-55℃至+150℃,使其能够在极端环境下稳定运作。
  • 漏源电压(Vdss):60V的额定值使得2N7002能够适用于多种高电压场景,为设计提供了更大的灵活性。
  • 连续漏极电流(Id):115mA,这一流量保证了该元件在模块中的长期稳定性和可靠性。
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id):在250uA条件下为2.5V,表明在较低的输入电压下即可实现开关状态的切换,非常适合低电压控制系统。

三、应用场景

2N7002广泛应用于多个领域,主要包括:

  1. 开关电源:利用该MOSFET的高开关速度和低导通损耗,使得转换器效率大幅提升。

  2. 信号放大和开关装置:在音频、电信等信号处理电路中,2N7002帮助实现高效的开关控制和信号调制。

  3. 电机驱动:在小型电机驱动电路中,使用2N7002可以有效控制电机的启停和正反转。

  4. LED驱动:在LED灯具中,通过MOSFET的快速开关特性能达到调光和闪烁效果。

  5. 便携式电子产品:由于其小型封装和低功耗特性,2N7002特别适合于手机、平板电脑等便携式设备的电源管理。

四、产品特性与优势

  • 低功耗特性:2N7002在低电流和低压条件下工作时,表现出优异的功耗效率,这对于延长电池寿命的设备尤为重要。

  • 高可靠性:广泛的工作温度范围和坚固的封装设计,使得该MOSFET能够在苛刻环境下持续工作。

  • 简单的驱动特性:相对较低的门电压阈值简化了控制电路的设计,降低了外围组件的需求,可以减少整体系统成本。

  • 快速开关速度:在现代应用中,快速开关能力是实现高效信号处理的关键,2N7002的电气特性保证了这一点。

五、总结

2N7002作为UMW(友台半导体)推出的一款重要N通道MOSFET,凭借其卓越的性能参数和广泛的适用场景,已经成为电子设计工程师与开发者的首选元器件之一。无论是在消费电子、工业控制,还是医疗等领域,2N7002都能以其精准、高效、信赖的特性为各种现代电子产品提供强大的动力和支持。通过合理的设计和应用,2N7002将能够帮助用户实现更高效的电路设计与创新。