型号:

TLC277IDR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOIC-8
批次:24+
包装:编带
重量:0.175g
其他:
-
TLC277IDR 产品实物图片
TLC277IDR 一小时发货
描述:运算放大器 5.3V/us 双路 0.7pA 2.2MHz
库存数量
库存:
399
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
6
2500+
5.8
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)16V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)1.7MHz
输入失调电压(Vos)500uV
输入失调电压温漂(Vos TC)1.8uV/℃
压摆率(SR)5.3V/us
输入偏置电流(Ib)60pA
输入失调电流(Ios)60pA
噪声密度(eN)25nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)95dB
静态电流(Iq)1.4mA
工作温度-40℃~+85℃
单电源4V~16V

TLC277IDR 产品概述

一、概述

TLC277IDR 是德州仪器(TI)推出的一款双路低功耗轨到轨输入/输出运算放大器。器件适用于电池供电与工业级应用,提供宽电源电压范围与较低的输入失调与噪声特性,适合精密信号调理、传感器前端与便携仪器等对低漂移和低功耗有要求的场合。

二、主要电气参数

  • 放大器数:双路
  • 电源范围(单电源):4 V ~ 16 V,最大电源宽度 VDD–VSS = 16 V
  • 输入/输出:轨到轨输入,轨到轨输出
  • 增益带宽积(GBP):约 1.7 MHz
  • 压摆率(SR):5.3 V/µs
  • 输入失调电压(VOS):典型 500 µV
  • 输入失调电压温漂(VOS TC):1.8 µV/℃
  • 输入偏置电流(IB):约 60 pA;输入失调电流(IOS):约 60 pA
  • 噪声密度:≈ 25 nV/√Hz @1 kHz
  • 共模抑制比(CMRR):约 95 dB
  • 静态电流(IQ):约 1.4 mA(双路总耗电)
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +85 ℃
  • 封装:SOIC-8

三、主要特性与优势

  • 轨到轨输入/输出保证在宽电源下的最大动态范围,简化接口与信号采集前端设计。
  • 低失调(500 µV)及低漂移(1.8 µV/℃)有利于直流精度要求高的放大器电路,如低频滤波与仪表放大。
  • 低输入偏置电流(pA 级)适合高阻抗传感器和电荷感测应用,减少偏置带来的误差。
  • 适中的增益带宽和较高压摆率(5.3 V/µs)兼顾信号带宽与瞬态响应,适合驱动抗容性负载与完成滤波器、采样保持等功能。
  • 低功耗(约1.4 mA)适合便携与电池供电系统,延长续航时间。

四、典型应用场景

  • 传感器信号调理(温度、压力、力传感器等)
  • 便携医学与测试仪器的前端放大器
  • 低频滤波器、积分器与差动放大电路
  • 数据采集系统的缓冲与驱动
  • 工业控制与电池供电测量设备

五、封装与选型说明

TLC277IDR 提供 SOIC-8 封装,便于 PCB 布局与批量生产。选型时请注意工作温度与电源电压范围是否满足系统要求,并参考 TI 的器件文档获取完整的电气特性曲线、最大额定值与封装尺寸。

六、设计与布局建议

  • 电源去耦:在 VCC 与 GND 端使用 0.1 µF 陶瓷并联 10 µF 低 ESR 电容,靠近封装引脚放置以抑制瞬态噪声。
  • 输入保护:对于易受瞬态冲击的应用,建议在输入端加入限流或钳位电路,保护运放不被过压损坏。
  • PCB 布局:信号回路尽量短且直接,模拟地与数字地分开或单点连接,减少地环路。
  • 带宽与稳定性:在高增益配置下关注相位裕度,必要时通过选用合适反馈网络或补偿元件提高稳定性。

七、总结

TLC277IDR 是一款面向低功耗、宽电源、轨到轨输入/输出的双路运放,兼顾直流精度与瞬态响应,适用于多种精密测量与便携应用。通过合理的电源去耦与 PCB 布局,可在实际系统中发挥稳定、低噪的信号调理能力。若需更详细的典型电路、特性曲线与封装信息,请参考 TI 官方数据手册。