MSE1PB-M3/89A 产品概述

一、简介

MSE1PB-M3/89A 是 VISHAY（威世）推出的一款单向保护二极管，集整流、开关与瞬态抑制功能于一体。器件采用 2 引脚 Micro SMP 结构（封装 DO-219AD），针对需要高速响应与低结电容的接口保护及小功率整流场合设计，兼顾高温可靠性与工业级 ESD 抗扰度。

二、主要电气参数

• 极性：单向（单路）
• 反向截止电压 Vrwm：100 V
• 反向电流 Ir（在 Vrwm 下）：1 μA
• 结电容 Cj：约 5 pF（典型，利于高速信号线）
• 额定电流：1 A（开关/整流参考值）
• 开关时间：约 780 ns（快速恢复/切换性能）
• 工作温度范围：-55 ℃ 至 +175 ℃
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2（静电放电）标准
• 类型：ESD / 整流开关二极管

三、封装与机械特性

封装形式为 DO-219AD 的 2 引脚 Micro SMP，小尺寸利于高密度 PCB 布局；金属引脚便于焊接与散热。封装在保持小电容的同时，有助于控制结热与环境耐受性，适合受限空间内的接口保护与电源旁路。

四、典型应用场景

• USB、HDMI、CAN、SATA 等高速差分/单端接口的静电与浪涌保护
• 通信设备、工业控制与传感器接口的反向保护与整流
• 开关电源次级整流与快速恢复整流场合（小功率）
• 精密模/数混合电路中，要求低结电容以减少信号畸变的保护方案

五、设计与布局建议

• 将器件放置于被保护引脚与地/电源之间，尽量靠近连接器或外部接口以缩短寄生电感。
• 对高速信号线，利用器件低 Cj（≈5 pF）可减小带宽损耗，但仍需注意串联阻抗匹配与阻尼。
• 在高能量浪涌场合，并联适当的吸收元件（TVS、陶瓷电容）以分摊能量与降低单器件应力。
• 考虑工作温度上限 +175 ℃，在高温环境下评估焊接工艺与长期可靠性。

六、可靠性与合规性

MSE1PB-M3/89A 针对工业级应用设计，工作温度范围广且通过 IEC 61000-4-2 静电放电等级验证，反向漏电小（1 μA），适合对泄漏敏感的电路。小结电容与快速切换特性使其在高速接口保护中具备优势。

七、结论

MSE1PB-M3/89A 为一款集快速切换、低电容与工业级 ESD 抑制能力于一体的单向二极管，适用于需兼顾信号完整性与防护能力的场景。其 100 V 反向耐压、1 A 等级与 -55 ℃ 至 +175 ℃ 的宽温工作范围，为工业与通信类产品的接口保护与小功率整流提供了可靠的器件选项。