FJV1845FMTF 产品概述

一、产品简介

FJV1845FMTF 是 ON（安森美）推出的一款小信号 NPN 双极晶体管，采用 SOT-23 封装，适合在中等电压、低至中等电流场合做开关与放大。器件强调低泄漏与高增益，适合便携与功耗敏感的系统。

二、主要特性

• 直流电流增益 hFE ≈ 150（测试条件 0.1mA、VCE≈6V），在小电流区具有较高增益。
• 集射击穿电压 VCEo = 120V，适用于需要较高耐压的应用。
• 集电极电流 Ic 最大值 50mA，特征频率 fT ≈ 110MHz，适合高频小信号放大。
• 集电极截止电流 Icbo ≈ 50nA，低泄漏利于低功耗设计。
• 射基击穿电压 VEbo = 5V，需要注意基极-射极反向电压限制。
• 集电极-发射极饱和压 VCE(sat) 典型约 300mV（在规定驱动条件下）。
• 器件耗散功率 Pd = 300mW，工作温度范围 -55℃ ~ +150℃。

三、典型应用

适用于小信号放大、开关、驱动电路、接口电平移位、射频前端或视频带宽要求不高但频率可及几十MHz的场合。因其高耐压和低漏电特性，也可用于需要高压等级但电流不大的便携或工业传感器电路。

四、设计与使用建议

• 由于 Pd 为 300mW，SOT-23 封装散热能力有限，应在 PCB 设计中通过加大铜箔、加散热通孔等方式降低结温。
• 注意基极-射极反向电压 VEbo = 5V，避免在反向偏置时超过该值以防击穿。
• VCE(sat) 与实际饱和电流和基极驱动有关，设计时应根据所需饱和电流配置足够基极驱动电阻。
• 避免长期工作在接近最大额定值下，遵循器件的安全工作区（SOA），并参照原厂 Datasheet 的测试条件和极限参数。
• 具体引脚排列、典型特性曲线及测试条件请以 Datasheet 为准。

五、封装与热管理

SOT-23 封装适合表贴自动化生产，但热阻较大。建议在 PCB 上采用扩展集电极散热铜箔、增加过孔形成散热通道，并在高环境温度下按线性降额处理器件耗散能力，确保可靠性。

六、选型与替代

若需要更高电流或更低饱和压，应考虑功率级封装或低 VCE(sat) 专用开关管；若关心更低噪声或更高频率，则可选射频优化型号。最终选型建议以目标电路的电压、峰值电流、散热条件和增益需求为准，并参考 ON 的完整 Datasheet 及样品测试结果。