BAS16HT3G 产品概述

一、概述

BAS16HT3G 是 ON Semiconductor（安森美）推出的一款独立式开关/小信号二极管，采用 SOD-323 表面贴装封装。该器件特别适合高速开关与小电流整流场合，结合低反向漏流与较快的恢复时间，在移动设备、通讯和各种高频电路中能提供稳定的功能表现。主要电气参数包括：反向耐压 100V、整流电流 200mA、正向压降 1.25V（@150mA）、反向电流 1μA（@100V）和反向恢复时间 6ns，工作结温范围 -55℃ 至 +150℃。

二、关键参数一览

• 型号：BAS16HT3G（ON/安森美）
• 封装：SOD-323（表面贴装，体积小）
• 工作结温：-55℃ ~ +150℃（Tj）
• 直流反向耐压 Vr：100V
• 正向压降 Vf：1.25V @ 150mA
• 额定整流电流：200mA
• 耗散功率 Pd：200mW
• 反向电流 Ir：1μA @ 100V
• 反向恢复时间 Trr：6ns

三、主要特性与优点

• 小体积封装（SOD-323），适合高密度 PCB 布局与空间受限的应用。
• 低反向漏流（1μA @100V），适合高阻输入或保持电平精度的电路。
• 快速反向恢复（6ns），适用于中高速开关、逻辑接口或混合信号路径。
• 100V 的反向耐压使其能在较高电压环境下工作，增加设计灵活性。
• 额定整流电流 200mA，满足小功率信号整流与隔离需求。

四、典型应用场景

• 开关电路与高速开关二极管替换
• 信号整流与峰值检测（低到中等电流）
• 高频/高速混合信号路径中的钳位和保护
• 通信设备、便携电子、仪器仪表中的小信号处理
• 反向保护与极性保护（配合限流措施）

五、设计注意事项与建议

• 热管理：器件耗散功率为 200mW，工作时正向压降会导致功耗（Pd = Vf × IF）。在持续 150mA 电流下，功耗接近 Vf×IF = 1.25V×0.15A ≈ 187.5mW，接近额定耗散上限，需注意环境温度与 PCB 导热，推荐在该电流下采取散热或降额使用。
• 电流余量：若电路可能出现浪涌或短时高电流，建议增加限流电阻或选用更高额定电流的器件，避免长期运行在极限条件。
• 高频性能：Trr = 6ns 提示器件适合中高频开关，但在超高速或射频应用中仍需评估恢复特性对信号完整性的影响。
• 反向漏流：1μA 在高阻抗检测或采样电路中仍会产生偏移，设计时应考虑漏流带来的误差并适当留有裕量。
• 并联限制：不建议直接并联多个小信号二极管以提高电流，因为 Vf 的差异会导致电流不均衡，应采用专用整流或功率二极管解决高电流需求。
• 焊接与可靠性：SOD-323 为标准表贴封装，遵循厂商推荐的回流焊温度曲线进行焊接，避免过热引起器件性能退化。

六、封装与采购提示

SOD-323 封装适合自动化贴装与批量生产。选型时请确认供应来源（ON/安森美）与具体包装形式（卷盘、带状等），并查看厂商的完整型号和规格书以获取引脚排列、温度系数、封装图纸及回流焊曲线等详细信息。若工作点接近极限，请在规格书中查阅温度依赖特性曲线并考虑降额设计。

总结：BAS16HT3G 在体积、耐压、速度与漏流方面取得了较好的平衡，适合对空间和速度有一定要求的小信号开关与整流应用。针对高持续电流或更苛刻热环境，应评估热散能力或选用更高功率等级的替代件。